- 专利标题： Onium salt, chemically amplified resist composition, and patterning process
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申请号： US16660081申请日： 2019-10-22
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公开(公告)号： US11333974B2公开(公告)日： 2022-05-17
- 发明人: Masahiro Fukushima
- 申请人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 当前专利权人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Westerman, Hattori, Daniels & Adrian, LLP
- 优先权： JPJP2018-199659 20181024
- 主分类号： G03F7/004
- IPC分类号： G03F7/004 ; G03F7/038 ; G03F7/32 ; C07C381/12 ; C07C309/12 ; C07C309/13 ; C07C309/19 ; C08L33/14 ; G03F7/20 ; G03F7/039 ; G03F7/38
摘要：
A novel onium salt and a resist composition comprising the same as a PAG are provided. When processed by photolithography using KrF or ArF excimer laser, EB or EUV, the resist composition is reduced in acid diffusion and improved in exposure latitude, MEF, and LWR.
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