Doped passivated contacts

发明授权

US11362221B2 Doped passivated contacts 有权

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专利标题： Doped passivated contacts
申请号： US15890172

申请日： 2018-02-06
公开(公告)号： US11362221B2

公开(公告)日： 2022-06-14
发明人: David Levi Young , Pauls Stradins , Benjamin Guocian Lee
申请人： Alliance for Sustainable Energy, LLC
申请人地址： US CO Golden
专利权人： Alliance for Sustainable Energy, LLC
当前专利权人： Alliance for Sustainable Energy, LLC
当前专利权人地址： US CO Golden
代理商 Sam J. Barkley
主分类号： H01L31/044
IPC分类号： H01L31/044 ; H01L31/0224 ; H01L31/0216 ; H01L31/18 ; H01L31/068 ; H01L21/3215

摘要：

PolySi:Ga/SiO2 passivated contacts were prepared using ion implantation and dopant inks to introduce Ga into a-Si. Following crystallization anneals these p-type contacts exhibited improved passivation (iVoc of about 730 mV) over B-doped passivated contacts for solar cells.

公开/授权文献

US20180226521A1 DOPED PASSIVATED CONTACTS 公开/授权日：2018-08-09

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00	对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/04	.用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）
H01L31/042	..单个光伏电池的光伏模块或者阵列（用于光伏模块的支撑结构入H02S20/00）
H01L31/044	...包括旁路二极管的（接线盒中的旁路二极管入H02S40/34）