- 专利标题： Infrared photodetectors
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申请号： US16899759申请日： 2020-06-12
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公开(公告)号： US11652183B2公开(公告)日： 2023-05-16
- 发明人: Bob Yi Zheng , Hangqi Zhao , Benjamin Cerjan , Mehbuba Tanzid , Peter J. Nordlander , Nancy J. Halas
- 申请人： William Marsh Rice University
- 申请人地址： US TX Houston
- 专利权人： William Marsh Rice University
- 当前专利权人： William Marsh Rice University
- 当前专利权人地址： US TX Houston
- 代理机构： Osha Bergman Watanabe & Burton LLP
- 主分类号： H01L31/101
- IPC分类号： H01L31/101 ; G01J5/20 ; G01J5/00
摘要：
An infrared photodetector includes: a p-type and highly-doped silicon substrate; a metal structure disposed on the silicon substrate; a first electric contact to the silicon substrate; and a second electric contact to the metal structure.
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