发明授权
- 专利标题： Sputtering target
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申请号： US17087333申请日： 2020-11-02
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公开(公告)号： US11862443B2公开(公告)日： 2024-01-02
- 发明人: Toshiaki Kuroda , Mikio Takigawa
- 申请人： SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
- 当前专利权人： SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Birch, Stewart, Kolasch & Birch, LLP
- 优先权： JP 17064985 2017.03.29 JP 17183878 2017.09.25
- 分案原申请号： US15935605 2018.03.26
- 主分类号： H01J37/34
- IPC分类号： H01J37/34 ; C23C14/34 ; C23C14/35 ; C23C14/14 ; C23C14/16
摘要：
A sputtering target comprising a target material, wherein a sputtering face of the target material has a ramp provided to reduce a thickness of the target material at a position where erosion concentrates most intensively during sputtering.
公开/授权文献
- US20210057196A1 SPUTTERING TARGET 公开/授权日：2021-02-25
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