发明申请
- 专利标题： Material for bismuth substituted garnet thick film and a manufacturing method thereof
- 专利标题（中）： 铋取代石榴石厚膜材料及其制造方法
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申请号： US09874097申请日： 2001-06-05
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公开(公告)号： US20010052828A1公开(公告)日： 2001-12-20
- 发明人: Tadakuni Sato , Kazumitsu Endo
- 申请人： TOKIN CORPORATION
- 申请人地址： null
- 专利权人： TOKIN CORPORATION
- 当前专利权人： TOKIN CORPORATION
- 当前专利权人地址： null
- 优先权： JP169308/2000 20000606
- 主分类号： B05D003/02
- IPC分类号： B05D003/02 ; H01P001/175 ; H01P001/38 ; C04B035/10
摘要：
A material for a bismuth substituted garnet thick film comprising Gd, Yb, Bi, Fe and Al as the main ingredient grown by a liquid phase growing method on a garnet substrate in which the composition of the garnet thickness is represented by the general formula:Gd3nullxnullyYbxBiyFe5nullzAl2O12(0
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