公开(公告)号：US20010052828A1

公开(公告)日：2001-12-20

申请号：US09874097

申请日：2001-06-05

申请人： TOKIN CORPORATION

发明人： Tadakuni Sato ,  Kazumitsu Endo

IPC分类号： B05D003/02 ,  H01P001/175 ,  H01P001/38 ,  C04B035/10

CPC分类号： H01F10/245 ,  H01F41/28

摘要： A material for a bismuth substituted garnet thick film comprising Gd, Yb, Bi, Fe and Al as the main ingredient grown by a liquid phase growing method on a garnet substrate in which the composition of the garnet thickness is represented by the general formula:Gd3nullxnullyYbxBiyFe5nullzAl2O12(0

摘要翻译： 用于通过液相生长法在石榴石基材上生长的以Gd，Yb，Bi，Fe和Al为主要成分的铋取代石榴石厚膜的材料，其中石榴石厚度的组成由以下通式表示： （0