发明申请
US20030068579A1 Alkaline solution and manufacturing method, and alkaline solution applied to pattern forming method, resist film removing method, solution application method, substrate treatment method, solution supply method, and semiconductor device manufacturing method
失效
碱溶液及其制造方法，碱性溶液应用于图案形成方法，抗蚀膜除去方法，溶液施加方法，基板处理方法，溶液供给方法和半导体器件制造方法
- 专利标题： Alkaline solution and manufacturing method, and alkaline solution applied to pattern forming method, resist film removing method, solution application method, substrate treatment method, solution supply method, and semiconductor device manufacturing method
- 专利标题（中）： 碱溶液及其制造方法，碱性溶液应用于图案形成方法，抗蚀膜除去方法，溶液施加方法，基板处理方法，溶液供给方法和半导体器件制造方法
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申请号： US10144025申请日： 2002-05-14
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公开(公告)号： US20030068579A1公开(公告)日： 2003-04-10
- 发明人: Riichiro Takahashi , Kei Hayasaki , Tomoyuki Takeishi , Shinichi Ito
- 申请人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 申请人地址： null
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： null
- 优先权： JP2001-143682 20010514
- 主分类号： G03F007/32
- IPC分类号： G03F007/32 ; G03F007/38 ; G03F007/42 ; G03D005/04 ; C03C023/00 ; B08B003/00 ; G03B007/00 ; C11D003/00
摘要：
A manufacturing method of an alkaline solution, comprising dissolving a gaseous molecule having oxidizing properties or reducing properties in an aqueous alkaline solution.
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