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发明申请
US20030203126A1 Organometal complex and method of depositing a metal silicate thin layer using same 有权
有机复合物及使用其沉积金属硅酸盐薄层的方法

  • 专利标题： Organometal complex and method of depositing a metal silicate thin layer using same
  • 专利标题（中）： 有机复合物及使用其沉积金属硅酸盐薄层的方法
  • 申请号： US10423337
    申请日： 2003-04-25
  • 公开(公告)号： US20030203126A1
    公开(公告)日： 2003-10-30
  • 发明人: Shi-Woo Rhee , Sang-Woo Kang , Won-Hee Nam
  • 优先权： KR2002-0022641 20020425
  • 主分类号： C23C008/00
  • IPC分类号： C23C008/00 ;  H01L021/44 ;  C23C010/10
Organometal complex and method of depositing a metal silicate thin layer using same
摘要：
The present invention relates to an organometal complex and a chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) method for preparing a metal silicate thin layer using same. The inventive method can easily prepare the metal silicate thin layer having a desired composition which can be effectively used as a gate insulating layer for various semiconductor devices.
摘要（中）：

本发明涉及一种使用其制备金属硅酸盐薄层的有机金属络合物和化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）方法。 本发明的方法可以容易地制备具有所需组成的金属硅酸盐薄层，其可以有效地用作各种半导体器件的栅极绝缘层。

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