发明申请
US20050009322A1 Slurry for CMP, and method of manufacturing semiconductor device
审中-公开
用于CMP的浆料和半导体器件的制造方法
- 专利标题： Slurry for CMP, and method of manufacturing semiconductor device
- 专利标题（中）： 用于CMP的浆料和半导体器件的制造方法
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申请号： US10909287申请日： 2004-08-03
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公开(公告)号： US20050009322A1公开(公告)日： 2005-01-13
- 发明人: Yukiteru Matsui , Gaku Minamihaba , Hiroyuki Yano
- 申请人： Yukiteru Matsui , Gaku Minamihaba , Hiroyuki Yano
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 优先权： JP2003-037179 20030214
- 主分类号： B24B37/00
- IPC分类号： B24B37/00 ; C09G1/02 ; H01L21/02 ; H01L21/304 ; H01L21/3205 ; H01L21/321 ; H01L21/768 ; H01L23/522 ; H01L21/4763 ; H01L21/302 ; H01L21/461
摘要：
There is disclosed a CMP slurry which comprises a solvent, abrasive grains, and a silicone-based surfactant having an HLB value ranging from 7 to 20.
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