发明申请
US20050052906A1 Row decoder in flash memory and erase method of flash memory cell using the same
有权
闪存中的行解码器和闪存单元的擦除方法使用相同
- 专利标题： Row decoder in flash memory and erase method of flash memory cell using the same
- 专利标题（中）： 闪存中的行解码器和闪存单元的擦除方法使用相同
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申请号： US10968687申请日： 2004-10-19
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公开(公告)号： US20050052906A1公开(公告)日： 2005-03-10
- 发明人: Ki Kim , Keun Lee , Sung Park , Yoo Jeon
- 申请人： Ki Kim , Keun Lee , Sung Park , Yoo Jeon
- 申请人地址： KR Kyungki-Do
- 专利权人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
- 当前专利权人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
- 当前专利权人地址： KR Kyungki-Do
- 优先权： KR2002-42155 20020718
- 主分类号： G11C16/06
- IPC分类号： G11C16/06 ; G11C16/02 ; G11C16/08 ; G11C16/14 ; G11C16/16 ; G11C29/00 ; H01L21/8247 ; H01L27/10 ; H01L27/115 ; H01L29/788 ; H01L29/792 ; G11C11/34
摘要：
A row decoder in a flash memory comprises a first switch to selectively couple a word line to a first voltage terminal, and a second switch to selectively couple the word line to a second voltage terminal. The row decoder also comprises a third switch to selectively couple the word line to a third voltage terminal.
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