使用具有以低浓度（<5MUM）存​​在的单一促进添加剂物质的焦磷酸铜电镀浴，实现半导体芯片中的细小的镶嵌沟槽和通孔的自底向上填充。 这种浴比酸性硫酸铜浴更容易控制，酸性硫酸铜浴采用复杂的添加剂系统，包括至少两种有机添加剂和氯离子（以及显着的添加剂分解产物）。 焦磷酸盐铜沉积物表现出不退火的稳定性质，通常是硫酸铜沉积物的两倍，这有利于化学机械平面化。 细粒度焦磷酸铜沉积物的机械性能和质地也远低于底物依赖性，其最小化阻挡层和种子层中变化和缺陷的影响。 焦磷酸铜浴的铜种子层的攻击最小化，其操作pH在8至9范围内。 焦磷酸盐和退火的硫酸铜沉积物的电阻率基本相等。