Integrating device

发明申请

US20050218461A1 Integrating device 审中-公开

标题翻译：集成装置

请登陆查看更多内容

专利标题： Integrating device
专利标题（中）： 集成装置
申请号： US10513146

申请日： 2003-05-02
公开(公告)号： US20050218461A1

公开(公告)日： 2005-10-06
发明人: Yasuhiko Kasama , Satoshi Fujimoto , Kenji Omote
申请人： Yasuhiko Kasama , Satoshi Fujimoto , Kenji Omote
优先权： JP2002-131012 20020502
国际申请： PCT/JP03/05621 WO 20030502
主分类号： H01L21/8242
IPC分类号： H01L21/8242 ; H01L27/108 ; H01L29/06 ; H01L29/76

摘要：

An integrated device using an element capable of manufacturing various devices of any shape having plasticity or flexibility without being limited by shape is provided. A plurality of elements in which a circuit element is formed continuously or intermittently in the longitudinal direction, or a plurality of elements in which a cross section having a plurality of areas forming a circuit is formed continuously or intermittently in the longitudinal direction are bundled, twisted, woven or knitted, joined, formed in combination or formed in the non-woven state.

摘要（中）：

提供一种使用能够制造具有可塑性或柔性的任何形状的各种装置的元件的集成装置，而不受形状的限制。多个沿长度方向连续地或间歇地形成电路元件的元件，或者在长度方向连续地或间断地形成具有形成电路的多个区域的截面的多个元件被捆扎，扭曲编织或编织，组合形成或以无纺布状态形成。

信息查询

Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8239	........存储器结构
H01L21/8242	.........动态随机存取存储结构（DRAM）