Forming dual metal complementary metal oxide semiconductor integrated circuits

发明申请

US20060160342A1 Forming dual metal complementary metal oxide semiconductor integrated circuits 有权

标题翻译：形成双金属互补金属氧化物半导体集成电路

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专利标题： Forming dual metal complementary metal oxide semiconductor integrated circuits
专利标题（中）： 形成双金属互补金属氧化物半导体集成电路
申请号： US11037860

申请日： 2005-01-18
公开(公告)号： US20060160342A1

公开(公告)日： 2006-07-20
发明人: Mark Doczy , Lawrence Wong , Valery Dubin , Justin Brask , Jack Kavalieros , Suman Datta , Matthew Metz , Robert Chau
申请人： Mark Doczy , Lawrence Wong , Valery Dubin , Justin Brask , Jack Kavalieros , Suman Datta , Matthew Metz , Robert Chau
主分类号： H01L21/3205
IPC分类号： H01L21/3205

Forming dual metal complementary metal oxide semiconductor integrated circuits

摘要：

Complementary metal oxide semiconductor metal gate transistors may be formed by depositing a metal layer in trenches formerly inhabited by patterned gate structures. The patterned gate structures may have been formed of polysilicon in one embodiment. The trenches may be filled with metal by surface activating using a catalytic metal, followed by electroless deposition of a seed layer followed by superconformal filling bottom up.

摘要（中）：

互补金属氧化物半导体金属栅极晶体管可以通过在先前由图案化栅极结构居住的沟槽中沉积金属层来形成。在一个实施例中，图案化栅极结构可以由多晶硅形成。可以使用催化金属通过表面活化来填充沟槽，然后通过化学沉积种子层，然后从下向上超超融合填充来填充沟槽。

公开/授权文献

US07192856B2 Forming dual metal complementary metal oxide semiconductor integrated circuits 公开/授权日：2007-03-20

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）