发明申请
- 专利标题： Cobalt electroless plating in microelectronic devices
- 专利标题（中）： 微电子器件中的钴化学镀
-
申请号： US11148724申请日： 2005-06-09
-
公开(公告)号： US20060280860A1公开(公告)日： 2006-12-14
- 发明人: Vincent Paneccasio , Qingyun Chen , Charles Valverde , Nicolai Petrov , Christian Witt , Richard Hurtubise
- 申请人： Vincent Paneccasio , Qingyun Chen , Charles Valverde , Nicolai Petrov , Christian Witt , Richard Hurtubise
- 申请人地址： US CT West Haven
- 专利权人： Enthone Inc.
- 当前专利权人： Enthone Inc.
- 当前专利权人地址： US CT West Haven
- 主分类号： B05D5/12
- IPC分类号： B05D5/12 ; C23C18/34 ; C23C18/36
摘要：
An electroless plating method and composition for depositing Co or Co alloys onto a metal-based substrate in manufacture of microelectronic devices, involving a source of Co ions, a reducing agent for reducing the depositions ions to metal onto the substrate, and an oxime-based compound stabilizer.
信息查询
