PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD

发明申请

US20070048456A1 PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD 审中-公开

标题翻译：等离子体增强化学蒸气沉积装置和方法

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专利标题： PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD
专利标题（中）： 等离子体增强化学蒸气沉积装置和方法
申请号： US11553334

申请日： 2006-10-26
公开(公告)号： US20070048456A1

公开(公告)日： 2007-03-01
发明人: Marvin Keshner , Paul McClelland
申请人： Marvin Keshner , Paul McClelland
主分类号： H01L21/20
IPC分类号： H01L21/20 ; H05H1/24 ; C23C16/00

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD

摘要：

A substrate processing system includes a deposition chamber and a plurality of tubular electrodes positioned within the deposition chamber defining plasma regions adjacent thereto.

摘要（中）：

衬底处理系统包括沉积室和位于沉积室内的多个管状电极，其限定与其相邻的等离子体区域。

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20	....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长