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发明申请
US20070072361A1 METHOD OF REDUCING CURRENT LEAKAGE IN A METAL INSULATOR METAL SEMICONDUCTOR CAPACITOR AND SEMICONDUCTOR CAPACITOR THEREOF 有权
金属绝缘子金属半导体电容器及其半导体电容器中减少电流泄漏的方法

  • 专利标题： METHOD OF REDUCING CURRENT LEAKAGE IN A METAL INSULATOR METAL SEMICONDUCTOR CAPACITOR AND SEMICONDUCTOR CAPACITOR THEREOF
  • 专利标题（中）： 金属绝缘子金属半导体电容器及其半导体电容器中减少电流泄漏的方法
  • 申请号： US11421771
    申请日： 2006-06-02
  • 公开(公告)号： US20070072361A1
    公开(公告)日： 2007-03-29
  • 发明人: Chao-Chun Tu , Ming-Chieh Lin
  • 申请人： Chao-Chun Tu , Ming-Chieh Lin
  • 主分类号： H01L21/8242
  • IPC分类号： H01L21/8242 ;  H01L29/04 ;  H01L29/15 ;  H01L31/036
METHOD OF REDUCING CURRENT LEAKAGE IN A METAL INSULATOR METAL SEMICONDUCTOR CAPACITOR AND SEMICONDUCTOR CAPACITOR THEREOF
摘要：
A method for reducing leakage current in a semiconductor capacitor. The method includes providing a top plate for collecting charge, providing a bottom plate for collecting an opposing charge to the top plate, providing a dielectric layer for insulation between the top plate and the bottom plate, providing a top contact, providing a bottom contact, providing a plurality of vias including top level vias for connecting the top plate to the top contact, and bottom level vias for connecting the bottom plate to the bottom contact; and separating a via and an adjacent structure such that their distance is greater than a minimum via spacing requirement of a foundry design rule for a semiconductor process producing the semiconductor capacitor.
摘要（中）：

一种用于减小半导体电容器中的漏电流的方法。 该方法包括提供用于收集电荷的顶板，提供用于收集与顶板相反的电荷的底板，提供用于在顶板和底板之间绝缘的介电层，提供顶部接触，提供底部接触， 提供多个通孔，包括用于将顶板连接到顶部触点的顶部通孔，以及用于将底板连接到底部触点的底部通孔; 以及分离通孔和相邻结构，使得它们的距离大于制造半导体电容器的半导体工艺的铸造设计规则的最小经过间隔要求。

公开/授权文献
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8239 ........存储器结构
H01L21/8242 .........动态随机存取存储结构（DRAM）
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