发明申请
- 专利标题： Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
- 专利标题（中）： 用于生产大型单晶氮化铝的方法和装置
-
申请号： US11431090申请日： 2006-05-09
-
公开(公告)号： US20070101932A1公开(公告)日： 2007-05-10
- 发明人: Leo Schowalter , Glen Slack , J. Rojo , Robert Bondokov , Kenneth Morgan , Joseph Smart
- 申请人： Leo Schowalter , Glen Slack , J. Rojo , Robert Bondokov , Kenneth Morgan , Joseph Smart
- 申请人地址： US NY Green Island
- 专利权人： Crystal IS, Inc.
- 当前专利权人： Crystal IS, Inc.
- 当前专利权人地址： US NY Green Island
- 主分类号： C30B29/38
- IPC分类号： C30B29/38 ; H01L33/00
摘要：
Bulk single crystals of AlN having a diameter greater than about 25 mm and dislocation densities of about 10,000 cm−2 or less and high-quality AlN substrates having surfaces of any desired crystallographic orientation fabricated from these bulk crystals.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
