- 专利标题： Magneto-resistive element and method of manufacturing the same
- 专利标题（中）： 磁阻元件及其制造方法
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申请号： US11783011申请日： 2007-04-05
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公开(公告)号： US20070253122A1公开(公告)日： 2007-11-01
- 发明人: Hideaki Fukuzawa , Yoshihiko Fuji , Hiromi Yuasa , Hitoshi Iwasaki
- 申请人： Hideaki Fukuzawa , Yoshihiko Fuji , Hiromi Yuasa , Hitoshi Iwasaki
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JPP2006-125856 20060428
- 主分类号： G11B5/33
- IPC分类号： G11B5/33
摘要：
A magneto-resistive element includes: a first magnetic layer having a substantially fixed magnetization direction; a thin film layer disposed on the first magnetic layer and having at least one of oxide, nitride, oxynitride, and metal; and a second magnetic layer disposed on the thin film layer and having a substantially fixed magnetization direction.
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