公开(公告)号：US08048492B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US12086761

申请日：2006-12-20

申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

IPC分类号： B05D3/02 ,  B05D3/06 ,  H05H1/24 ,  H05H1/26 ,  C23C14/58 ,  H05H1/10 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01F41/305 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3166 ,  G11B5/398 ,  G11B5/3983 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1121

摘要： A magnetoresistive effect element is produced by forming a first magnetic layer, a spacer layer including an insulating layer and a conductive layer which penetrates through the insulating layer and passes a current, on the first magnetic layer, and a second magnetic layer all of which or part of which is treated with ion, plasma or heat, on the formed spacer layer.

摘要翻译： 磁阻效应元件通过在第一磁性层上形成第一磁性层，包括绝缘层的间隔层和穿过绝缘层并传导电流的导电层，以及第二磁性层， 其中一部分用离子，等离子体或热处理，形成间隔层。

公开(公告)号：US07897201B2

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US11703830

申请日：2007-02-08

申请人： Hiromi Yuasa ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

发明人： Hiromi Yuasa ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

IPC分类号： G11B21/00 ,  B05D3/00 ,  H05H1/00 ,  C23F3/00

CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3281 ,  H01F41/303 ,  H01F41/325

摘要： A method is for manufacturing a magnetoresistance effect element having a magnetization fixed layer, a non-magnetic intermediate layer, and a magnetization free layer being sequentially stacked. The method includes: forming at least a part of a magnetic layer that is to become either one of the magnetization fixed layer and the magnetization free layer; forming a function layer including at least one of an oxide, a nitride, and a fluoride on the part of the magnetic layer; and removing a part of the function layer by exposing the function layer to either one of an ion beam and plasma irradiation.

摘要翻译： 一种用于制造具有磁化固定层，非磁性中间层和顺序堆叠的无磁化层的磁阻效应元件的方法。 该方法包括：形成要成为磁化固定层和磁化自由层中的任一个的磁性层的至少一部分; 在所述磁性层的一部分上形成包括氧化物，氮化物和氟化物中的至少一种的功能层; 以及通过将功能层暴露于离子束和等离子体照射中的任一种来去除功能层的一部分。

公开(公告)号：US20070223150A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：US11546975

申请日：2006-10-13

申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Yoshinari Kurosaki ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Yoshinari Kurosaki ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

IPC分类号： G11B5/33 ,  G11B5/127

CPC分类号： G11B5/3903 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/398 ,  G11B5/455 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08

摘要： A magnetoresistive effect element includes a magnetization fixed layer including a first crystal grain, having a magnetization direction which is fixed substantially in one direction, a spacer layer arranged on the magnetization fixed layer and having an insulating layer and a metal conductor penetrating the insulating layer, and a magnetization free layer including a second crystal grain, arranged on the spacer layer to oppose the metal conductor and having a magnetization direction which changes corresponding to an external magnetic field.

摘要翻译： 磁阻效应元件包括：磁化固定层，包括具有大致沿一个方向固定的磁化方向的第一晶粒;布置在磁化固定层上并具有绝缘层和贯穿绝缘层的金属导体的间隔层; 以及包含第二晶粒的无磁化层，其布置在所述间隔层上以与所述金属导体相对并且具有对应于外部磁场变化的磁化方向。

公开(公告)号：US08130477B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US12879642

申请日：2010-09-10

申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Masahiro Takashita ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Masahiro Takashita ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

IPC分类号： G11B5/36

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3983 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3281 ,  H01F10/3295 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1121

摘要： A magneto-resistance effect element, a magneto-resistance effect head, a magnetic storage and a magnetic memory, in which noise caused by a spin-transfer torque is reduced, are provided. In a fixed magnetization layer or a free magnetization layer of a magneto-resistance effect element including the fixed magnetization layer, a spacer layer and the free magnetization layer; a layer containing one element selected from the group consisting of Ti, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt and Au is disposed.

摘要翻译： 提供了由旋转传递转矩引起的噪声减小的磁阻效应元件，磁阻效应头，磁存储器和磁存储器。 在包括固定磁化层，间隔层和自由磁化层的磁阻效应元件的固定磁化层或自由磁化层中; 设置包含选自Ti，Zr，Nb，Mo，Ru，Rh，Pd，Ag，La，Hf，Ta，W，Re，Os，Ir，Pt和Au中的一种元素的层。

公开(公告)号：US08305716B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US13360143

申请日：2012-01-27

申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Masahiro Takashita ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Masahiro Takashita ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

IPC分类号： G11B5/36

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3983 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3281 ,  H01F10/3295 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1121

摘要： An example magneto-resistance effect element includes a magnetization layer and a free magnetization layer of which magnetization direction changes depending on an external magnetic field. A spacer layer is located between the magnetization layer and the free magnetization layer, and has an insulating layer and an electric conductor passing current therethrough in a layer direction of the insulating layer. A diffusive electron scattering layer is disposed on said free magnetization layer for scattering diffusive electrons. The scattering layer includes a first nonmagnetic layer and a second nonmagnetic layer containing a first element and a second element, respectively, and a mixing layer disposed at a boundary between the first and second nonmagnetic layers and containing the first and second elements. The mixing layer has a thickness of 0.5 nm or more and 1.5 nm or less.

摘要翻译： 示例性的磁阻效应元件包括磁化层和磁化方向根据外部磁场而变化的自由磁化层。 间隔层位于磁化层和自由磁化层之间，并且在绝缘层的层方向上具有绝缘层和导电体通过其中的电流。 漫射电子散射层设置在所述自由磁化层上用于散射漫射电子。 散射层包括分别包含第一元件和第二元件的第一非磁性层和第二非磁性层，以及设置在第一和第二非磁性层之间并且包含第一和第二元件的边界处的混合层。 混合层的厚度为0.5nm以上且1.5nm以下。

公开(公告)号：US08274766B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US11783011

申请日：2007-04-05

申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Hitoshi Iwasaki

发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Hitoshi Iwasaki

IPC分类号： G11B5/127

CPC分类号： H01F41/302 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/09 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3222 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295

摘要： A magneto-resistive element includes: a first magnetic layer having a substantially fixed magnetization direction; a thin film layer disposed on the first magnetic layer and having at least one of oxide, nitride, oxynitride, and metal; and a second magnetic layer disposed on the thin film layer and having a substantially fixed magnetization direction.

摘要翻译： 磁阻元件包括：具有基本上固定的磁化方向的第一磁性层; 设置在所述第一磁性层上并具有氧化物，氮化物，氧氮化物和金属中的至少一种的薄膜层; 以及设置在薄膜层上并具有基本固定的磁化方向的第二磁性层。

公开(公告)号：US20070253122A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：US11783011

申请日：2007-04-05

申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Hitoshi Iwasaki

发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Hitoshi Iwasaki

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： H01F41/302 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/09 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3222 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295

摘要： A magneto-resistive element includes: a first magnetic layer having a substantially fixed magnetization direction; a thin film layer disposed on the first magnetic layer and having at least one of oxide, nitride, oxynitride, and metal; and a second magnetic layer disposed on the thin film layer and having a substantially fixed magnetization direction.

摘要翻译： 磁阻元件包括：具有基本上固定的磁化方向的第一磁性层; 设置在所述第一磁性层上并具有氧化物，氮化物，氧氮化物和金属中的至少一种的薄膜层; 以及设置在薄膜层上并具有基本固定的磁化方向的第二磁性层。

公开(公告)号：US20070188945A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US11702582

申请日：2007-02-06

申请人： Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Hitoshi Iwasaki

发明人： Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Hitoshi Iwasaki

IPC分类号： G11B5/127

CPC分类号： G11B5/398 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/09 ,  G11B5/3906 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3281 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： A magnetoresistive effect element includes a fixed magnetization layer; a free magnetization layer; a nonmagnetic spacer layer between the fixed magnetization layer and the free magnetization layer; and an insertion layer disposed on an opposite side of the free magnetization layer from the nonmagnetic spacer layer, wherein the first insulating layer has an oxide, a nitride, or an oxynitride including at least one kind of element selected from a group constituted of Al(aluminum), Si(silicon), Mg(magnesium), Ta(tantalum) and Zn(zinc) as a major constituent, and the insertion layer has an oxide, a nitride, or an oxynitride including at least one kind of element selected from a group constituted of Al(aluminum), Si(silicon), Mg(magnesium), Ta(tantalum) and Zn(zinc) as a major constituent.

摘要翻译： 磁阻效应元件包括固定磁化层; 自由磁化层; 在固定磁化层和自由磁化层之间的非磁性间隔层; 以及插入层，其设置在所述自由磁化层与所述非磁性间隔层的相对侧上，其中，所述第一绝缘层具有氧化物，氮化物或氮氧化物，所述氧化物，氮化物或氮氧化物包含选自由Al组成的组中的至少一种元素 铝），Si（硅），Mg（镁），Ta（钽）和Zn（锌）作为主要成分，并且所述插入层具有氧化物，氮化物或氧氮化物，其包含至少一种选自 以Al（铝），Si（硅），Mg（镁），Ta（钽）和Zn（锌）为主要成分的基团。

公开(公告)号：US07821748B2

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：US11525076

申请日：2006-09-22

申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Masahiro Takashita ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Masahiro Takashita ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3983 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3281 ,  H01F10/3295 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1121

摘要： A magneto-resistance effect element, a magneto-resistance effect head, a magnetic storage and a magnetic memory, in which noise caused by a spin-transfer torque is reduced, are provided. In a fixed magnetization layer or a free magnetization layer of a magneto-resistance effect element including the fixed magnetization layer, a spacer layer and the free magnetization layer; a layer containing one element selected from the group consisting of Ti, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt and Au is disposed.

摘要翻译： 提供了由旋转传递转矩引起的噪声减小的磁阻效应元件，磁阻效应头，磁存储器和磁存储器。 在包括固定磁化层，间隔层和自由磁化层的磁阻效应元件的固定磁化层或自由磁化层中; 设置包含选自Ti，Zr，Nb，Mo，Ru，Rh，Pd，Ag，La，Hf，Ta，W，Re，Os，Ir，Pt和Au中的一种元素的层。

公开(公告)号：US07808747B2

公开(公告)日：2010-10-05

申请号：US11702582

申请日：2007-02-06

申请人： Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Hitoshi Iwasaki

发明人： Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Hitoshi Iwasaki

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G11B5/398 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/09 ,  G11B5/3906 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3281 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： A magnetoresistive effect element includes a fixed magnetization layer; a free magnetization layer; a nonmagnetic spacer layer between the fixed magnetization layer and the free magnetization layer; and an insertion layer disposed on an opposite side of the free magnetization layer from the nonmagnetic spacer layer, wherein the first insulating layer has an oxide, a nitride, or an oxynitride including at least one kind of element selected from a group constituted of Al (aluminum), Si (silicon), Mg (magnesium), Ta (tantalum) and Zn (zinc) as a major constituent, and the insertion layer has an oxide, a nitride, or an oxynitride including at least one kind of element selected from a group constituted of Al (aluminum), Si (silicon), Mg (magnesium), Ta (tantalum) and Zn (zinc) as a major constituent.

摘要翻译： 磁阻效应元件包括固定磁化层; 自由磁化层; 在固定磁化层和自由磁化层之间的非磁性间隔层; 以及插入层，其设置在所述自由磁化层与所述非磁性间隔层的相对侧上，其中，所述第一绝缘层具有氧化物，氮化物或氮氧化物，所述氧化物，氮化物或氮氧化物包含选自由Al组成的组中的至少一种元素 铝），Si（硅），Mg（镁），Ta（钽）和Zn（锌）作为主要成分，并且所述插入层具有氧化物，氮化物或氧氮化物，其包含至少一种选自 以Al（铝），Si（硅），Mg（镁），Ta（钽）和Zn（锌）为主要成分的基团。