发明申请
US20080112110A1 Method of Making Thin-Film Capacitors on Metal Foil Using Thick Top Electrodes
有权
使用厚电极在金属箔上制造薄膜电容器的方法
- 专利标题： Method of Making Thin-Film Capacitors on Metal Foil Using Thick Top Electrodes
- 专利标题（中）： 使用厚电极在金属箔上制造薄膜电容器的方法
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申请号： US11868736申请日： 2007-10-08
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公开(公告)号： US20080112110A1公开(公告)日： 2008-05-15
- 发明人: William Borland , Cengiz Ahmet Palanduz , Olga L. Renovales
- 申请人： William Borland , Cengiz Ahmet Palanduz , Olga L. Renovales
- 申请人地址： US DE Wilmington
- 专利权人： E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY
- 当前专利权人： E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY
- 当前专利权人地址： US DE Wilmington
- 主分类号： H01G4/005
- IPC分类号： H01G4/005 ; H01R43/16
摘要：
Methods of making thin film capacitors formed on foil by forming onto a thin film dielectric in a single deposition event an integrally complete top electrode having a minimum thickness of at least 1 micron.
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