METHOD OF IMPROVING INITIATION LAYER FOR LOW-K DIELECTRIC FILM BY DIGITAL LIQUID FLOW METER

发明申请

US20080119058A1 METHOD OF IMPROVING INITIATION LAYER FOR LOW-K DIELECTRIC FILM BY DIGITAL LIQUID FLOW METER 有权

标题翻译：通过数字液体流量计改善低K电介质膜的起始层的方法

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专利标题： METHOD OF IMPROVING INITIATION LAYER FOR LOW-K DIELECTRIC FILM BY DIGITAL LIQUID FLOW METER
专利标题（中）： 通过数字液体流量计改善低K电介质膜的起始层的方法
申请号： US11562021

申请日： 2006-11-21
公开(公告)号： US20080119058A1

公开(公告)日： 2008-05-22
发明人: DUSTIN W. HO , Juan Carlos Rocha-Alvarez , Alexandros T. Demos , Kelvin Chan , Nagarajan Rajagopalan , Visweswaren Sivaramakrishnan
申请人： DUSTIN W. HO , Juan Carlos Rocha-Alvarez , Alexandros T. Demos , Kelvin Chan , Nagarajan Rajagopalan , Visweswaren Sivaramakrishnan
主分类号： H01L21/312
IPC分类号： H01L21/312

METHOD OF IMPROVING INITIATION LAYER FOR LOW-K DIELECTRIC FILM BY DIGITAL LIQUID FLOW METER

摘要：

A method for depositing a low dielectric constant film by flowing a oxidizing gas into a processing chamber, flowing an organosilicon compound from a bulk storage container through a digital liquid flow meter at an organosilicon flow rate to a vaporization injection valve, vaporizing the organosilicon compound and flowing the organosilicon compound and a carrier gas into the processing chamber, maintaining the organosilicon flow rate to deposit an initiation layer, flowing a porogen compound from a bulk storage container through a digital liquid flow meter at a porogen flow rate to a vaporization injection valve, vaporizing the porogen compound and flowing the porogen compound and a carrier gas into the processing chamber, increasing the organosilicon flow rate and the porogen flow rate while depositing a transition layer, and maintaining a second organosilicon flow rate and a second porogen flow rate to deposit a porogen containing organosilicate dielectric layer.

摘要（中）：

一种通过使氧化气体流入处理室来沉积低介电常数膜的方法，使有机硅化合物从大容量储存容器通过数字液体流量计以有机硅流速流动到汽化喷射阀，汽化有机硅化合物和使有机硅化合物和载气流入处理室，保持有机硅流速沉积起始层，使致孔剂化合物从大容量储存容器通过数字液体流量计以致孔剂流速流动到蒸发喷射阀，蒸发致孔剂化合物并使致孔剂化合物和载气流入处理室，同时沉积过渡层而增加有机硅流速和致孔剂流速，并保持第二有机硅流速和第二致孔剂流速以沉积含致孔剂的有机硅酸盐介电层。

公开/授权文献

US07410916B2 Method of improving initiation layer for low-k dielectric film by digital liquid flow meter 公开/授权日：2008-08-12

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/312	......有机层，例如光刻胶（H01L21/3105、H01L21/32优先）