Systems and methods for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots

发明申请

US20080124816A1 Systems and methods for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots 审中-公开

标题翻译：使用多个激光束点的半导体结构处理的系统和方法

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专利标题： Systems and methods for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots
专利标题（中）： 使用多个激光束点的半导体结构处理的系统和方法
申请号： US11981324

申请日： 2007-10-30
公开(公告)号： US20080124816A1

公开(公告)日： 2008-05-29
发明人: Kelly J. Bruland , Stephen N. Swaringen , Brian W. Baird , Ho Wai Lo , David Martin Hemenway
申请人： Kelly J. Bruland , Stephen N. Swaringen , Brian W. Baird , Ho Wai Lo , David Martin Hemenway
申请人地址： US OR Portland
专利权人： Electro Scientific Industries, Inc.
当前专利权人： Electro Scientific Industries, Inc.
当前专利权人地址： US OR Portland
主分类号： H01L21/268
IPC分类号： H01L21/268 ; B23K26/16 ; H01L21/66

Systems and methods for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots

摘要：

Methods and systems selectively irradiate structures on or within a semiconductor substrate using multiple laser beams. The structures may be laser-severable conductive links, and the purpose of the irradiation may be to sever selected links.

摘要（中）：

方法和系统使用多个激光束选择性地照射半导体衬底上或其中的结构。结构可以是激光可分割的导电连接，并且照射的目的可以是切断所选择的连接。

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263	.....带有高能辐射的（H01L21/261优先）
H01L21/268	......应用电磁辐射的，例如激光辐射