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发明申请
US20080160748A1 Method of Forming Dielectric Layer of Flash Memory Device 审中-公开
形成闪存器件介质层的方法

Method of Forming Dielectric Layer of Flash Memory Device
摘要：
The present invention relates to a method of forming a dielectric layer of a flash memory device. In a process of forming a dielectric layer of a flash memory device, the dielectric layer may include a first oxide layer, a high dielectric layer, and a second oxide layer is formed. Accordingly, a leakage current characteristic and reliability of the flash memory device can be improved.
摘要（中）：

本发明涉及一种形成闪存器件的电介质层的方法。 在形成闪速存储器件的电介质层的过程中，介电层可以包括第一氧化物层，高电介质层和形成第二氧化物层。 因此，可以提高闪存器件的漏电流特性和可靠性。

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