Patterned silicon submicron tubes

发明申请

US20080164577A1 Patterned silicon submicron tubes 失效

标题翻译：图案硅亚微米管

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专利标题： Patterned silicon submicron tubes
专利标题（中）： 图案硅亚微米管
申请号： US11649634

申请日： 2007-01-04
公开(公告)号： US20080164577A1

公开(公告)日： 2008-07-10
发明人: Tingkai Li , Jong-Jan Lee , Jer-Shen Maa , Sheng Teng Hsu
申请人： Tingkai Li , Jong-Jan Lee , Jer-Shen Maa , Sheng Teng Hsu
专利权人： Sharp Laboratories of America, Inc.
当前专利权人： Sharp Laboratories of America, Inc.
主分类号： H01L21/3065
IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L29/06

摘要：

An array of submicron silicon (Si) tubes is provided with a method for patterning submicron Si tubes. The method provides a Si substrate, and forms a silicon dioxide film overlying the Si substrate. An array of silicon dioxide rods is formed from the silicon dioxide film, and Si3N4 tubes are formed surrounding the silicon dioxide rods. The silicon dioxide rods are etched away. Then, exposed regions of the Si substrate are etched, forming Si tubes underlying the Si3N4 tubes. Finally, the Si3N4 tubes are removed.

摘要（中）：

亚微米硅（Si）管的阵列具有用于构图亚微米Si管的方法。该方法提供Si衬底，并形成覆盖Si衬底的二氧化硅膜。由二氧化硅膜形成二氧化硅棒的阵列，并且在二氧化硅棒周围形成Si 3 N 4 N 4管。二氧化硅棒被蚀刻掉。然后，蚀刻Si衬底的暴露区域，形成Si 3 N 4 N 4管子下面的Si管。最后，去除Si 3 N 4 N 4管。

公开/授权文献

US07514282B2 Patterned silicon submicron tubes 公开/授权日：2009-04-07

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065	.......等离子腐蚀；活性离子腐蚀