发明申请
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE
- 专利标题（中）： 半导体器件
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申请号： US11733897申请日： 2007-04-11
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公开(公告)号： US20080251889A1公开(公告)日： 2008-10-16
- 发明人: Jung-Chih Tsao , Yu-Sheng Wang , Kei-Wei Chen , Ying-Lang Wang
- 申请人： Jung-Chih Tsao , Yu-Sheng Wang , Kei-Wei Chen , Ying-Lang Wang
- 申请人地址： TW Hsin-Chu
- 专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
- 主分类号： H01L29/00
- IPC分类号： H01L29/00
摘要：
A semiconductor device is disclosed. The device includes a substrate, a first metal layer, a dielectric layer, and a second metal layer. The first metal layer comprises a body-centered cubic lattice metal, and overlies the substrate. The dielectric layer overlies the first metal layer. The second metal layer overlies the dielectric layer.
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