发明申请
- 专利标题： LIGHT EMITTING DIODE DEVICE LAYER STRUCTURE USING AN INDIUM GALLIUM NITRIDE CONTACT LAYER
- 专利标题（中）： 使用氮化镓接触层的发光二极管器件层结构
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申请号： US12113745申请日： 2008-05-01
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公开(公告)号： US20080283854A1公开(公告)日： 2008-11-20
- 发明人: Michael Iza , Hirokuni Asamizu , Christian G. Van de Walle , Steven P. DenBaars , Shuji Nakamura
- 申请人： Michael Iza , Hirokuni Asamizu , Christian G. Van de Walle , Steven P. DenBaars , Shuji Nakamura
- 申请人地址： US CA Oakland
- 专利权人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
- 当前专利权人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
- 当前专利权人地址： US CA Oakland
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00
摘要：
A light emitting diode device layer structure including a p-type contact layer that contains at least some indium (In), wherein the p-type contact layer is a not-intentionally doped strained nitride contact layer.
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