公开(公告)号：US20080283854A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US12113745

申请日：2008-05-01

申请人： Michael Iza ,  Hirokuni Asamizu ,  Christian G. Van de Walle ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Michael Iza ,  Hirokuni Asamizu ,  Christian G. Van de Walle ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： A light emitting diode device layer structure including a p-type contact layer that contains at least some indium (In), wherein the p-type contact layer is a not-intentionally doped strained nitride contact layer.

摘要翻译： 一种包括含有至少一些铟（In）的p型接触层的发光二极管器件层结构，其中p型接触层是非故意掺杂的应变氮化物接触层。

公开(公告)号：US08193079B2

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US11673426

申请日：2007-02-09

申请人： John F. Kaeding ,  Hitoshi Sato ,  Michael Iza ,  Hirokuni Asamizu ,  Hong Zhong ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John F. Kaeding ,  Hitoshi Sato ,  Michael Iza ,  Hirokuni Asamizu ,  Hong Zhong ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/04

CPC分类号： H01L21/2654 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

摘要： A method of controlled p-type conductivity in (Al,In,Ga,B)N semiconductor crystals. Examples include {10 11} GaN films deposited on {100} MgAl2O4 spinel substrate miscut in the direction. Mg atoms may be intentionally incorporated in the growing semipolar nitride thin film to introduce available electronic states in the band structure of the semiconductor crystal, resulting in p-type conductivity. Other impurity atoms, such as Zn or C, which result in a similar introduction of suitable electronic states, may also be used.

摘要翻译： （Al，In，Ga，B）N半导体晶体中受控p型导电性的方法。 实例包括在{011}方向沉积在{100} MgAl 2 O 4尖晶石衬底miscut上的{10 11} GaN膜。 可以有意地将Mg原子并入生长的半极性氮化物薄膜中以在半导体晶体的带结构中引入可用的电子态，导致p型导电性。 也可以使用导致类似的合适电子状态引入的其它杂质原子，例如Zn或C。

公开(公告)号：US08709925B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US13440234

申请日：2012-04-05

申请人： John F. Kaeding ,  Hitoshi Sato ,  Michael Iza ,  Hirokuni Asamizu ,  Hong Zhong ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John F. Kaeding ,  Hitoshi Sato ,  Michael Iza ,  Hirokuni Asamizu ,  Hong Zhong ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/04

CPC分类号： H01L21/2654 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

摘要： A method of controlled p-type conductivity in (Al,In,Ga,B)N semiconductor crystals. Examples include {10 11} GaN films deposited on {100} MgAl2O4 spinel substrate miscut in the direction. Mg atoms may be intentionally incorporated in the growing semipolar nitride thin film to introduce available electronic states in the band structure of the semiconductor crystal, resulting in p-type conductivity. Other impurity atoms, such as Zn or C, which result in a similar introduction of suitable electronic states, may also be used.

摘要翻译： （Al，In，Ga，B）N半导体晶体中受控p型导电性的方法。 实例包括在{011}方向沉积在{100} MgAl 2 O 4尖晶石衬底miscut上的{10 11} GaN膜。 可以有意地将Mg原子并入生长的半极性氮化物薄膜中以在半导体晶体的带结构中引入可用的电子态，导致p型导电性。 也可以使用导致类似的合适电子状态引入的其它杂质原子，例如Zn或C。

公开(公告)号：US20120187415A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13440234

申请日：2012-04-05

申请人： John F. Kaeding ,  Hitoshi Sato ,  Michael Iza ,  Hirokuni Asamizu ,  Hong Zhong ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John F. Kaeding ,  Hitoshi Sato ,  Michael Iza ,  Hirokuni Asamizu ,  Hong Zhong ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/207 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L21/2654 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

摘要： A method of controlled p-type conductivity in (Al,In,Ga,B)N semiconductor crystals. Examples include {10 11} GaN films deposited on {100} MgAl2O4 spinel substrate miscut in the direction. Mg atoms may be intentionally incorporated in the growing semipolar nitride thin film to introduce available electronic states in the band structure of the semiconductor crystal, resulting in p-type conductivity. Other impurity atoms, such as Zn or C, which result in a similar introduction of suitable electronic states, may also be used.

摘要翻译： （Al，In，Ga，B）N半导体晶体中受控p型导电性的方法。 实例包括在{011}方向沉积在{100} MgAl 2 O 4尖晶石衬底miscut上的{10 11} GaN膜。 可以有意地将Mg原子并入生长的半极性氮化物薄膜中以在半导体晶体的带结构中引入可用的电子态，导致p型导电性。 也可以使用导致类似的合适电子状态引入的其它杂质原子，例如Zn或C。

公开(公告)号：US20120056158A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：US13296611

申请日：2011-11-15

申请人： Kenji Iso ,  Hirokuni Asamizu ,  Makoto Saito ,  Hitoshi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Kenji Iso ,  Hirokuni Asamizu ,  Makoto Saito ,  Hitoshi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An (Al,Ga,In)N-based light emitting diode (LED), comprising a p-type surface of the LED bonded with a transparent submount material to increase light extraction at the p-type surface, wherein the LED is a substrateless membrane.

摘要翻译： 一种（Al，Ga，In）N基发光二极管（LED），包括与透明底层材料结合的LED的p型表面，以增加p型表面的光提取，其中LED是无基底 膜。

公开(公告)号：US08124991B2

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US12181100

申请日：2008-07-28

申请人： Kenji Iso ,  Hirokuni Asamizu ,  Makoto Saito ,  Hitoshi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Kenji Iso ,  Hirokuni Asamizu ,  Makoto Saito ,  Hitoshi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An (Al,Ga,In)N-based light emitting diode (LED), comprising a p-type surface of the LED bonded with a transparent submount material to increase light extraction at the p-type surface, wherein the LED is a substrateless membrane.

摘要翻译： 一种（Al，Ga，In）N基发光二极管（LED），包括与透明底层材料结合的LED的p型表面，以增加p型表面的光提取，其中LED是无基底 膜。

公开(公告)号：US20080149959A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11954154

申请日：2007-12-11

申请人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Hirokuni Asamizu

发明人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Hirokuni Asamizu

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/62 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0061 ,  H01L33/22 ,  H01L33/387 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A transparent light emitting diode (LED) includes a plurality of III-nitride layers, including an active region that emits light, wherein all of the layers except for the active region are transparent for an emission wavelength of the light, such that the light is extracted effectively through all of the layers and in multiple directions through the layers. Moreover, the surface of one or more of the III-nitride layers may be roughened, textured, patterned or shaped to enhance light extraction.

摘要翻译： 透明发光二极管（LED）包括多个III族氮化物层，包括发射光的有源区，除了有源区以外的所有层对于光的发射波长是透明的，使得光是 通过所有层有效提取，并在多个方向通过层提取。 此外，一个或多个III族氮化物层的表面可以被粗糙化，纹理化，图案化或成形以增强光提取。

公开(公告)号：US08294166B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US11954154

申请日：2007-12-11

申请人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Hirokuni Asamizu

发明人： Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  Hirokuni Asamizu

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/62 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0061 ,  H01L33/22 ,  H01L33/387 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A transparent light emitting diode (LED) includes a plurality of III-nitride layers, including an active region that emits light, wherein all of the layers except for the active region are transparent for an emission wavelength of the light, such that the light is extracted effectively through all of the layers and in multiple directions through the layers. Moreover, the surface of one or more of the III-nitride layers may be roughened, textured, patterned or shaped to enhance light extraction.

摘要翻译： 透明发光二极管（LED）包括多个III族氮化物层，包括发射光的有源区，除了有源区以外的所有层对于光的发射波长是透明的，使得光是 通过所有层有效提取，并在多个方向通过层提取。 此外，一个或多个III族氮化物层的表面可以被粗糙化，纹理化，图案化或成形以增强光提取。

公开(公告)号：US08368109B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US13296611

申请日：2011-11-15

申请人： Kenji Iso ,  Hirokuni Asamizu ,  Makoto Saito ,  Hitoshi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Kenji Iso ,  Hirokuni Asamizu ,  Makoto Saito ,  Hitoshi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An (Al,Ga,In)N-based light emitting diode (LED), comprising a p-type surface of the LED bonded with a transparent submount material to increase light extraction at the p-type surface, wherein the LED is a substrateless membrane.

摘要翻译： 一种（Al，Ga，In）N基发光二极管（LED），包括与透明底层材料结合的LED的p型表面，以增加p型表面的光提取，其中LED是无基底 膜。

公开(公告)号：US20090039367A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US12181100

申请日：2008-07-28

申请人： Kenji Iso ,  Hirokuni Asamizu ,  Makoto Saito ,  Hitoshi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Kenji Iso ,  Hirokuni Asamizu ,  Makoto Saito ,  Hitoshi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An (Al,Ga,In)N-based light emitting diode (LED), comprising a p-type surface of the LED bonded with a transparent submount material to increase light extraction at the p-type surface, wherein the LED is a substrateless membrane.

摘要翻译： 一种（Al，Ga，In）N基发光二极管（LED），包括与透明底层材料结合的LED的p型表面，以增加p型表面的光提取，其中LED是无基底 膜。