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US20090057644A1 Phase-change memory units, methods of forming the phase-change memory units, phase-change memory devices having the phase-change memory units and methods of manufacturung the phase-change memory devices 审中-公开
相变存储器单元，形成相变存储器单元的方法，具有相变存储器单元的相变存储器件以及制造相变存储器件的方法

Phase-change memory units, methods of forming the phase-change memory units, phase-change memory devices having the phase-change memory units and methods of manufacturung the phase-change memory devices
摘要：
A phase-change memory unit includes a lower electrode on a substrate, a phase-change material layer pattern including germanium-antimony-tellurium (GST) and carbon on the lower electrode, a transition metal layer pattern on the phase-change material layer pattern, and an upper electrode on the first transition metal layer pattern. The phase-change memory unit may have good electrical characteristics.
摘要（中）：

相变存储单元包括基板上的下电极，包含锗 - 锑 - 碲（GST）的相变材料层图案和下电极上的碳，相变材料层图案上的过渡金属层图案 和第一过渡金属层图案上的上电极。 相变存储器单元可具有良好的电特性。

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