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    PHASE CHANGE MEMORY DEVICE
    3.
    发明申请
    PHASE CHANGE MEMORY DEVICE 审中-公开
    相变存储器件

    公开(公告)号：US20090250682A1

    公开(公告)日：2009-10-08

    申请号：US12406344

    申请日：2009-03-18

    申请人： Doo-Hwan Park ,  Yong-Ho Ha ,  Myung-Jin Kang ,  Jeong-Hee Park ,  Hyun-Suk Kwon

    发明人： Doo-Hwan Park ,  Yong-Ho Ha ,  Myung-Jin Kang ,  Jeong-Hee Park ,  Hyun-Suk Kwon

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/143 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1683

    摘要： Provided is a phase change memory device. The phase change memory device includes a first electrode and a second electrode. A phase change material pattern is interposed between the first and second electrodes. A phase change auxiliary pattern is in contact with at least one side of the phase change material pattern. The phase change auxiliary pattern includes a compound having a chemical formula expressed as DaMb[GxTy]c(0≦a/(a+b+c)≦0.2, 0≦b/(a+b+c)≦0.1, 0.3≦x/(x+y)≦0.7), where D comprises: at least one of C, N, and O; M comprises at least one of a transition metal, Al, Ga, and In; G comprises Ge; and T comprises Te.

    摘要翻译： 提供了一种相变存储器件。 相变存储器件包括第一电极和第二电极。 相变材料图案插入在第一和第二电极之间。 相变辅助图案与相变材料图案的至少一侧接触。 相变辅助图案包括化学式表示为DaMb [GxTy] c（0 <= a /（a + b + c）<= 0.2,0 <= b /（a + b + c） 0.1，0.3 <= x /（x + y）≤= 0.7），其中D包括：C，N和O中的至少一个; M包括过渡金属Al，Ga和In中的至少一种; G包括Ge; T包括Te。

    Methods for manufacturing a phase-change memory device
    8.
    发明授权
    Methods for manufacturing a phase-change memory device 有权
    相变存储器件的制造方法

    公开(公告)号：US08133429B2

    公开(公告)日：2012-03-13

    申请号：US12762560

    申请日：2010-04-19

    申请人： Yong-Ho Ha ,  Bong-Jin Kuh ,  Han-Bong Ko ,  Doo-Hwan Park ,  Sang-Wook Lim ,  Hee-Ju Shin

    发明人： Yong-Ho Ha ,  Bong-Jin Kuh ,  Han-Bong Ko ,  Doo-Hwan Park ,  Sang-Wook Lim ,  Hee-Ju Shin

    IPC分类号： B28B1/00 ,  C23C14/06

    CPC分类号： H01L45/06 ,  C04B35/56 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/3817 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/428 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

    摘要： In a method of forming a chalcogenide compound target, a first powder including germanium carbide or germanium is prepared, and a second powder including antimony carbide or antimony is prepared. A third powder including tellurium carbide or tellurium is prepared. A powder mixture is formed by mixing the first to the third powders. After a shaped is formed body by molding the powder mixture. The chalcogenide compound target is obtained by sintering the powder mixture. The chalcogenide compound target may include a chalcogenide compound that contains carbon and metal, or carbon, metal and nitrogen considering contents of carbon, metal and nitrogen, so that a phase-change material layer formed using the chalcogenide compound target may stable phase transition, enhanced crystallized temperature and increased resistance. A phase-change memory device including the phase-change material layer may have reduced set resistance and driving current while improving durability and sensing margin.

    摘要翻译： 在形成硫属化物化合物靶的方法中，制备包括碳化锗或锗的第一粉末，并制备包含锑或锑的第二粉末。 制备包括碲化镉或碲的第三种粉末。 通过混合第一至第三粉末形成粉末混合物。 通过模制粉末混合物形成成形体后。 通过烧结粉末混合物获得硫属化物化合物靶。 考虑到碳，金属和氮的含量，硫属化物化合物靶可以包括含有碳和金属或碳，金属和氮的硫属化物化合物，使得使用硫属化物化合物靶形成的相变材料层可以稳定的相变，增强 结晶温度和阻力增加。 包括相变材料层的相变存储器件可以降低设定电阻和驱动电流，同时提高耐久性和感测裕度。