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发明申请
US20090096060A1 Antifuse structures, antifuse array structures, methods of manufacturing the same 有权
防污结构，反熔丝阵列结构，制造方法

Antifuse structures, antifuse array structures, methods of manufacturing the same
摘要：
Antifuse structures, antifuse arrays, methods of manufacturing, and methods of operating the same are provided. An antifuse structure includes bitlines formed as first diffusing regions within a semiconductor substrate, an insulation layer formed on the bitlines, and wordlines formed on the insulation layer. An antifuse array includes a plurality of antifuse structures arranged in an array.
摘要（中）：

提供了防泡结构，反熔丝阵列，制造方法和操作方法。 反熔丝结构包括在半导体衬底内形成为第一扩散区的位线，形成在位线上的绝缘层，以及形成在绝缘层上的字线。 反熔丝阵列包括排列成阵列的多个反熔丝结构。

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