发明申请
- 专利标题： TENSILE STRAIN SOURCE USING SILICON/GERMANIUM IN GLOBALLY STRAINED SILICON
- 专利标题（中）： 全球应变硅中使用硅/锗的拉伸应变源
-
申请号： US12112288申请日： 2008-04-30
-
公开(公告)号： US20090108361A1公开(公告)日： 2009-04-30
- 发明人: Andy Wei , Karla Romero , Manfred Horstmann
- 申请人： Andy Wei , Karla Romero , Manfred Horstmann
- 优先权： DE102007052053.2 20071031
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
By embedding a silicon/germanium mixture in a silicon layer of high tensile strain, a moderately high degree of tensile strain may be maintained in the silicon/germanium mixture, thereby enabling increased performance of N-channel transistors on the basis of silicon/germanium material.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
