公开(公告)号：US20090108361A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US12112288

申请日：2008-04-30

申请人： Andy Wei ,  Karla Romero ,  Manfred Horstmann

发明人： Andy Wei ,  Karla Romero ,  Manfred Horstmann

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78684

摘要： By embedding a silicon/germanium mixture in a silicon layer of high tensile strain, a moderately high degree of tensile strain may be maintained in the silicon/germanium mixture, thereby enabling increased performance of N-channel transistors on the basis of silicon/germanium material.

摘要翻译： 通过将硅/锗混合物嵌入到高拉伸应变的硅层中，可以在硅/锗混合物中保持适度高的拉伸应变程度，从而可以在硅/锗材料的基础上提高N沟道晶体管的性能 。

公开(公告)号：US07719060B2

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：US12112288

申请日：2008-04-30

申请人： Andy Wei ,  Karla Romero ,  Manfred Horstmann

发明人： Andy Wei ,  Karla Romero ,  Manfred Horstmann

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78684

摘要： By embedding a silicon/germanium mixture in a silicon layer of high tensile strain, a moderately high degree of tensile strain may be maintained in the silicon/germanium mixture, thereby enabling increased performance of N-channel transistors on the basis of silicon/germanium material. In other regions, the germanium concentration may be varied to provide different levels of tensile or compressive strain.

摘要翻译： 通过将硅/锗混合物嵌入到高拉伸应变的硅层中，可以在硅/锗混合物中保持适度高的拉伸应变程度，从而可以在硅/锗材料的基础上提高N沟道晶体管的性能 。 在其他区域，可以改变锗浓度以提供不同水平的拉伸或压缩应变。

公开(公告)号：US07999326B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12754165

申请日：2010-04-05

申请人： Andy Wei ,  Karla Romero ,  Manfred Horstmann

发明人： Andy Wei ,  Karla Romero ,  Manfred Horstmann

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78684

摘要： By embedding a silicon/germanium mixture in a silicon layer of high tensile strain, a moderately high degree of tensile strain may be maintained in the silicon/germanium mixture, thereby enabling increased performance of N-channel transistors on the basis of silicon/germanium material. In other regions, the germanium concentration may be varied to provide different levels of tensile or compressive strain.

摘要翻译： 通过将硅/锗混合物嵌入到高拉伸应变的硅层中，可以在硅/锗混合物中保持适度高的拉伸应变程度，从而可以在硅/锗材料的基础上提高N沟道晶体管的性能 。 在其他区域，可以改变锗浓度以提供不同水平的拉伸或压缩应变。

公开(公告)号：US20100187629A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12754165

申请日：2010-04-05

申请人： Andy Wei ,  Karla Romero ,  Manfred Horstmann

发明人： Andy Wei ,  Karla Romero ,  Manfred Horstmann

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78684

摘要： By embedding a silicon/germanium mixture in a silicon layer of high tensile strain, a moderately high degree of tensile strain may be maintained in the silicon/germanium mixture, thereby enabling increased performance of N-channel transistors on the basis of silicon/germanium material. In other regions, the germanium concentration may be varied to provide different levels of tensile or compressive strain.

摘要翻译： 通过将硅/锗混合物嵌入到高拉伸应变的硅层中，可以在硅/锗混合物中保持适度高的拉伸应变程度，从而可以在硅/锗材料的基础上提高N沟道晶体管的性能 。 在其他区域，可以改变锗浓度以提供不同水平的拉伸或压缩应变。

公开(公告)号：US07659213B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US11566840

申请日：2006-12-05

申请人： Andy Wei ,  Thorsten Kammler ,  Jan Hoentschel ,  Manfred Horstmann

发明人： Andy Wei ,  Thorsten Kammler ,  Jan Hoentschel ,  Manfred Horstmann

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/42 ,  H01L21/8222

CPC分类号： C23C8/20 ,  C23C8/80 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

摘要： By incorporating carbon by means of ion implantation and a subsequent flash-based or laser-based anneal process, strained silicon/carbon material with tensile strain may be positioned in close proximity to the channel region, thereby enhancing the strain-inducing mechanism. The carbon implantation may be preceded by a pre-amorphization implantation, for instance on the basis of silicon. Moreover, by removing a spacer structure used for forming deep drain and source regions, the degree of lateral offset of the strained silicon/carbon material with respect to the gate electrode may be determined substantially independently from other process requirements. Moreover, an additional sidewall spacer used for forming metal silicide regions may be provided with reduced permittivity, thereby additionally contributing to an overall performance enhancement.

摘要翻译： 通过离子注入和随后的基于闪光或基于激光的退火工艺引入碳，具有拉伸应变的应变硅/碳材料可以紧邻通道区域定位，从而增强应变诱导机制。 可以在碳注入之前进行预非晶化注入，例如基于硅。 此外，通过去除用于形成深漏极和源极区的间隔结构，应变硅/碳材料相对于栅极的横向偏移程度可以基本上独立于其它工艺要求来确定。 此外，用于形成金属硅化物区域的附加侧壁间隔物可以具有降低的介电常数，从而另外有助于整体性能提高。

公开(公告)号：US20080179628A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11843358

申请日：2007-08-22

申请人： Andy Wei ,  Thorsten Kammler ,  Roman Boschke ,  Manfred Horstmann

发明人： Andy Wei ,  Thorsten Kammler ,  Roman Boschke ,  Manfred Horstmann

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78684 ,  Y10S438/938

摘要： By combining a respectively adapted lattice mismatch between a first semiconductor material in a channel region and an embedded second semiconductor material in an source/drain region of a transistor, the strain transfer into the channel region is increased. According to one embodiment of the invention, the lattice mismatch may be adapted by a biaxial strain in the first semiconductor material. According to one embodiment, the lattice mismatch may be adjusted by a biaxial strain in the first semiconductor material. In particular, the strain transfer of strain sources including the embedded second semiconductor material as well as a strained overlayer is increased. According to one illustrative embodiment, regions of different biaxial strain may be provided for different transistor types.

摘要翻译： 通过组合沟道区中的第一半导体材料和晶体管的源极/漏极区域中嵌入的第二半导体材料之间的分别适配的晶格失配，进入沟道区的应变增加。 根据本发明的一个实施例，晶格失配可以通过第一半导体材料中的双轴应变来适应。 根据一个实施例，可以通过第一半导体材料中的双轴应变来调整晶格失配。 特别地，包括嵌入的第二半导体材料以及应变覆盖层的应变源的应变传递增加。 根据一个说明性实施例，可以为不同的晶体管类型提供不同双轴应变的区域。

公开(公告)号：US20060113629A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：US11177214

申请日：2005-07-08

申请人： Andy Wei ,  Thorsten Kammler ,  Michael Raab ,  Manfred Horstmann

发明人： Andy Wei ,  Thorsten Kammler ,  Michael Raab ,  Manfred Horstmann

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/045 ,  H01L29/6659

摘要： By direct bonding of two crystalline semiconductor layers of different crystallographic orientation and/or material composition and/or internal strain, bulk-like hybrid substrates may be formed, thereby providing the potential for forming semiconductor devices in accordance with a single transistor architecture on the hybrid substrate.

摘要翻译： 通过直接键合具有不同晶体取向和/或材料组成和/或内部应变的两个晶体半导体层，可以形成块状混合衬底，从而提供根据混合物上的单晶体管结构形成半导体器件的潜力 基质。

公开(公告)号：US08274120B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US12710744

申请日：2010-02-23

申请人： Andy Wei ,  Thorsten Kammler ,  Jan Hoentschel ,  Manfred Horstmann ,  Peter Javorka ,  Joe Bloomquist

发明人： Andy Wei ,  Thorsten Kammler ,  Jan Hoentschel ,  Manfred Horstmann ,  Peter Javorka ,  Joe Bloomquist

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L29/66628 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78684

摘要： By recessing drain and source regions, a highly stressed layer, such as a contact etch stop layer, may be formed in the recess in order to enhance the strain generation in the adjacent channel region of a field effect transistor. Moreover, a strained semiconductor material may be positioned in close proximity to the channel region by reducing or avoiding undue relaxation effects of metal silicides, thereby also providing enhanced efficiency for the strain generation. In some aspects, both effects may be combined to obtain an even more efficient strain-inducing mechanism.

摘要翻译： 通过凹陷漏极和源极区域，可以在凹部中形成诸如接触蚀刻停止层的高应力层，以增强场效应晶体管的相邻沟道区域中的应变产生。 此外，应变半导体材料可以通过减少或避免金属硅化物的不适当的松弛效应来定位在靠近沟道区域，从而也为应变产生提供增强的效率。 在一些方面，两种效应可以组合以获得更有效的应变诱导机制。

公开(公告)号：US07829421B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US11563986

申请日：2006-11-28

申请人： Andy Wei ,  Thorsten Kammler ,  Jan Hoentschel ,  Manfred Horstmann

发明人： Andy Wei ,  Thorsten Kammler ,  Jan Hoentschel ,  Manfred Horstmann

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78612 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78684

摘要： By forming a portion of a PN junction within strained silicon/germanium material in SOI transistors with a floating body architecture, the junction leakage may be significantly increased, thereby reducing floating body effects. The positioning of a portion of the PN junction within the strained silicon/germanium material may be accomplished on the basis of implantation and anneal techniques, contrary to conventional approaches in which in situ doped silicon/germanium is epitaxially grown so as to form the deep drain and source regions. Consequently, high drive current capability may be combined with a reduction of floating body effects.

摘要翻译： 通过在具有浮体结构的SOI晶体管中形成应变硅/锗材料中的PN结的一部分，结点泄漏可能显着增加，从而减少浮体效应。 PN结在应变硅/锗材料中的一部分的定位可以基于注入和退火技术来实现，这与常规方法相反，其中原位掺杂的硅/锗被外延生长以便形成深漏极 和源区。 因此，高驱动电流能力可以与减少浮体效应相结合。

公开(公告)号：US07510926B2

公开(公告)日：2009-03-31

申请号：US11558982

申请日：2006-11-13

申请人： Andy Wei ,  Thorsten Kammler ,  Jan Hoentschel ,  Manfred Horstmann

发明人： Andy Wei ,  Thorsten Kammler ,  Jan Hoentschel ,  Manfred Horstmann

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

摘要： A strained semiconductor material may be positioned in close proximity to the channel region of a transistor, such as an SOI transistor, while reducing or avoiding undue relaxation effects of metal silicides and extension implantations, thereby providing enhanced efficiency for the strain generation.

摘要翻译： 应变半导体材料可以位于诸如SOI晶体管的晶体管的沟道区域附近，同时减少或避免金属硅化物和延伸注入的不适当的松弛效应，从而为应变产生提供增强的效率。