发明申请
- 专利标题： Method for producing bonded wafer
- 专利标题（中）： 接合晶片的制造方法
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申请号： US12321725申请日： 2009-01-22
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公开(公告)号： US20090186464A1公开(公告)日： 2009-07-23
- 发明人: Nobuyuki Morimoto , Hideki Nishihata , Hidehiko Okuda , Akihiko Endo
- 申请人： Nobuyuki Morimoto , Hideki Nishihata , Hidehiko Okuda , Akihiko Endo
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： SUMCO CORPORATION
- 当前专利权人： SUMCO CORPORATION
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2008-012,459 20080123
- 主分类号： H01L21/30
- IPC分类号： H01L21/30
摘要：
In the method for producing a bonded wafer by bonding a wafer for active layer to a wafer for support layer and then thinning the wafer for active layer, when oxygen ions are implanted into the wafer for active layer, the implantation step is divided into two stages conducted under specified conditions.
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