发明申请
US20100078694A1 SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A DRIFT ZONE AND A DRIFT CONTROL ZONE
有权
具有DRIFT区和DRIFT控制区的半导体组件
- 专利标题： SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A DRIFT ZONE AND A DRIFT CONTROL ZONE
- 专利标题（中）： 具有DRIFT区和DRIFT控制区的半导体组件
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申请号： US12241808申请日： 2008-09-30
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公开(公告)号： US20100078694A1公开(公告)日： 2010-04-01
- 发明人: Armin Willmeroth , Anton Mauder , Franz Hirler
- 申请人： Armin Willmeroth , Anton Mauder , Franz Hirler
- 申请人地址： AT Villach
- 专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
- 当前专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
- 当前专利权人地址： AT Villach
- 主分类号： H01L27/06
- IPC分类号： H01L27/06 ; H01L21/8234
摘要：
A description is given of a normally on semiconductor component having a drift zone, a drift control zone and a drift control zone dielectric arranged between the drift zone and the drift control zone.
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