发明申请
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
- 专利标题（中）： 半导体器件及其制造方法
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申请号： US12633486申请日： 2009-12-08
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公开(公告)号： US20100078730A1公开(公告)日： 2010-04-01
- 发明人: Yoichi YOSHIDA , Akihiko Tsuzumitani , Kenshi Kanegae
- 申请人： Yoichi YOSHIDA , Akihiko Tsuzumitani , Kenshi Kanegae
- 申请人地址： JP OSAKA
- 专利权人： PANASONIC CORPORATION
- 当前专利权人： PANASONIC CORPORATION
- 当前专利权人地址： JP OSAKA
- 优先权： JP2008-030982 20080212
- 主分类号： H01L27/092
- IPC分类号： H01L27/092 ; H01L21/762 ; H01L29/772
摘要：
A semiconductor device includes a gate electrode. The gate electrode includes a silicide layer obtained by siliciding porous silicon or organic silicon.
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