公开(公告)号：US20100078730A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12633486

申请日：2009-12-08

申请人： Yoichi YOSHIDA ,  Akihiko Tsuzumitani ,  Kenshi Kanegae

发明人： Yoichi YOSHIDA ,  Akihiko Tsuzumitani ,  Kenshi Kanegae

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/762 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656

摘要： A semiconductor device includes a gate electrode. The gate electrode includes a silicide layer obtained by siliciding porous silicon or organic silicon.

摘要翻译： 半导体器件包括栅电极。 栅电极包括通过硅化多孔硅或有机硅而获得的硅化物层。