METHOD FOR FORMING RUTHENIUM METAL CAP LAYERS

发明申请

US20100081274A1 METHOD FOR FORMING RUTHENIUM METAL CAP LAYERS 审中-公开

标题翻译：形成金属箔层的方法

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专利标题： METHOD FOR FORMING RUTHENIUM METAL CAP LAYERS
专利标题（中）： 形成金属箔层的方法
申请号： US12240894

申请日： 2008-09-29
公开(公告)号： US20100081274A1

公开(公告)日： 2010-04-01
发明人: Tadahiro Ishizaka , Shigeru Mizuno , Frank M. Cerio, JR.
申请人： Tadahiro Ishizaka , Shigeru Mizuno , Frank M. Cerio, JR.
申请人地址： JP Tokyo
专利权人： Tokyo Electron Limited
当前专利权人： Tokyo Electron Limited
当前专利权人地址： JP Tokyo
主分类号： H01L21/4763
IPC分类号： H01L21/4763

METHOD FOR FORMING RUTHENIUM METAL CAP LAYERS

摘要：

A method is provided for integrating ruthenium (Ru) metal deposition into manufacturing of semiconductor devices to improve electromigration and stress migration in copper (Cu) metal. Embodiments of the invention include treating patterned substrates containing metal layers and low-k dielectric materials with NHx (x≦3) radicals and H radicals to improve selective formation of ruthenium (Ru) metal cap layers on the metal layers relative to the low-k dielectric materials.

摘要（中）：

提供了一种用于将钌（Ru）金属沉积物集成到半导体器件的制造中以改善铜（Cu）金属中的电迁移和应力迁移的方法。本发明的实施方案包括处理包含金属层和低k电介质材料的图案化衬底，其具有NH x（x和n L e 3）基团和H基团以改善相对于低k的金属层上钌（Ru）金属帽层的选择性形成介电材料。

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）