公开(公告)号：US20130252417A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13619083

申请日：2012-09-14

申请人： Tadahiro ISHIZAKA ,  Jonathan Rullan ,  Osamu Yokoyama ,  Atsushi Gomi ,  Chiaki Yasumuro ,  Takara Kato ,  Tatsuo Hatano ,  Hiroaki Kawasaki

发明人： Tadahiro ISHIZAKA ,  Jonathan Rullan ,  Osamu Yokoyama ,  Atsushi Gomi ,  Chiaki Yasumuro ,  Takara Kato ,  Tatsuo Hatano ,  Hiroaki Kawasaki

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76829 ,  C23C14/025 ,  C23C14/18 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/08 ,  C23C16/56 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  C23C28/42 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： A thin film forming method in which a thin film is formed on a surface of a target object to be processed to fill a recess formed in the surface of the target object includes the steps of forming a metal layer for filling on the surface of the target object to fill the recess formed in the surface of the target object and forming a metal film for preventing diffusion on an entire surface of the target object to cover the metal layer for filling. The thin film forming method further includes the step of annealing the target object having the metal film for preventing diffusion formed thereon.

摘要翻译： 一种薄膜形成方法，其中在要处理的目标物体的表面上形成薄膜以填充形成在目标物体的表面上的凹部的薄膜形成方法包括以下步骤：形成用于填充在靶材表面上的金属层 目的是填充形成在目标物体的表面上的凹部，并形成用于防止在目标物体的整个表面上扩散的金属膜，以覆盖用于填充的金属层。 薄膜形成方法还包括退火具有用于防止扩散形成的金属膜的目标物体的步骤。

公开(公告)号：US20130237053A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13876682

申请日：2011-09-26

申请人： Tadahiro Ishizaka ,  Takashi Sakuma ,  Tatsuo Hatano ,  Osamu Yokoyama ,  Atsushi Gomi ,  Chiaki Yasumuro ,  Toshihiko Fukushima ,  Hiroyuki Toshima ,  Masaya Kawamata ,  Yasushi Mizusawa ,  Takara Kato

发明人： Tadahiro Ishizaka ,  Takashi Sakuma ,  Tatsuo Hatano ,  Osamu Yokoyama ,  Atsushi Gomi ,  Chiaki Yasumuro ,  Toshihiko Fukushima ,  Hiroyuki Toshima ,  Masaya Kawamata ,  Yasushi Mizusawa ,  Takara Kato

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01J37/34

CPC分类号： H01L21/768 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882

摘要： A film forming method which generates metal ions from a metal target with a plasma in a processing chamber and attracts the metal ions with a bias to deposit a metal thin film on a target object wherein trenches are formed. The method includes: generating metal ions from a target and attracting the metal ions into a target object with a bias to form a base film in a trench; ionizing a rare gas with the bias in a state where no metal ion is generated and attracting the generated ions into the target object to etch the base film; and plasma sputtering the target to generate metal ions and attracting the metal ions into the object with a high frequency power for bias to deposit a main film as a metal film, while reflowing the main film by heating.

摘要翻译： 一种在处理室中从具有等离子体的金属靶产生金属离子的薄膜形成方法，并且在偏压下吸引金属离子以在形成有沟槽的目标物体上沉积金属薄膜。 该方法包括：从靶产生金属离子并以偏压将金属离子吸引到目标物体中，以在沟槽中形成基膜; 在不产生金属离子的状态下以偏压电离稀有气体，并将产生的离子吸引到目标物体中以蚀刻基膜; 并且等离子体溅射靶以产生金属离子并以高频功率将金属离子吸引到物体中以偏压沉积作为金属膜的主膜，同时通过加热回流主膜。

公开(公告)号：US20120315404A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13564529

申请日：2012-08-01

申请人： Yicheng LI ,  Tadahiro ISHIZAKA ,  Kaoru YAMAMOTO ,  Atsushi GOMI ,  Masamichi HARA ,  Toshiaki FUJISATO ,  Jacques FAGUET ,  Yasushi MIZUSAWA

发明人： Yicheng LI ,  Tadahiro ISHIZAKA ,  Kaoru YAMAMOTO ,  Atsushi GOMI ,  Masamichi HARA ,  Toshiaki FUJISATO ,  Jacques FAGUET ,  Yasushi MIZUSAWA

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/505 ,  C23C16/06 ,  C23C16/50

CPC分类号： C23C16/4585 ,  C23C16/12 ,  C23C16/14 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/303 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/46 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32495 ,  H01J2237/2001

摘要： A method for vapor deposition on a substrate in a vapor deposition system having a process space separated from a transfer space. The method disposes a substrate in a process space of a processing system that is vacuum isolated from a transfer space of the processing system, processes the substrate at either of a first position or a second position in the process space while maintaining vacuum isolation from the transfer space by way of a movement accommodating sealing material, and deposits a material on the substrate at either the first position or the second position.

摘要翻译： 一种用于在具有与传送空间分离的处理空间的气相沉积系统中的基板上气相沉积的方法。 该方法将基板设置在处理系统的处理空间中，该处理系统与处理系统的传送空间真空隔离，在处理空间中的第一位置或第二位置处处理基板，同时保持与传送的真空隔离 空间，通过容纳密封材料的运动，并且在第一位置或第二位置处将材料沉积在基底上。

公开(公告)号：US08075698B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US10525797

申请日：2003-08-28

申请人： Hiroshi Kannan ,  Tadahiro Ishizaka ,  Yasuhiko Kojima ,  Yasuhiro Oshima ,  Takashi Shigeoka

发明人： Hiroshi Kannan ,  Tadahiro Ishizaka ,  Yasuhiko Kojima ,  Yasuhiro Oshima ,  Takashi Shigeoka

IPC分类号： B08B7/04

CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/26

摘要： A substrate processing unit comprises a processing vessel for receiving a substrate, a cleaning gas supply system for supplying cleaning gas to the processing vessel so as to clean the interior of the processing vessel, an exhauster for exhausting the processing vessel, an operating state detector for detecting the operating state of the exhauster, and an end point detector for detecting the end point of the cleaning on the basis of the detection result from the operating state detector.

摘要翻译： 基板处理单元包括用于接收基板的处理容器，用于向处理容器提供清洁气体以清洁处理容器内部的清洁气体供应系统，用于排出处理容器的排气器，用于排出处理容器的操作状态检测器 检测排气器的运行状态，以及终点检测器，用于根据来自运行状态检测器的检测结果来检测清洗的终点。

公开(公告)号：US07989353B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US11968369

申请日：2008-01-02

申请人： Tadahiro Ishizaka ,  Kentaro Asakura ,  Masanao Ando ,  Toshio Hasegawa

发明人： Tadahiro Ishizaka ,  Kentaro Asakura ,  Masanao Ando ,  Toshio Hasegawa

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01J37/20 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/0203

摘要： Method for operating a processing system and refurbishing a ceramic substrate holder within a process chamber of the processing system are described. The method includes plasma processing one or more substrates on the ceramic substrate holder, where the processing causes erosion of a nitride material of the ceramic substrate holder. The method further includes refurbishing the ceramic substrate holder in-situ without a substrate residing on the ceramic substrate holder, where the refurbishing includes exposing the ceramic substrate holder to a plasma-excited nitrogen-containing gas in the process chamber to at least partially reverse the erosion of the nitride material.

摘要翻译： 描述了在处理系统的处理室内操作处理系统和翻新陶瓷衬底保持器的方法。 该方法包括等离子体处理陶瓷衬底保持器上的一个或多个衬底，其中处理引起陶瓷衬底保持器的氮化物材料的侵蚀。 该方法还包括原位翻新陶瓷衬底保持器，而不需要驻留在陶瓷衬底保持器上的衬底，其中翻新包括将陶瓷衬底保持器暴露于处理室中的等离子体激发的含氮气体，以至少部分地将 氮化物材料的侵蚀。

公开(公告)号：US07959985B2

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：US11378263

申请日：2006-03-20

申请人： Tadahiro Ishizaka ,  Tsukasa Matsuda ,  Masamichi Hara ,  Jacques Faguet ,  Yasushi Mizusawa

发明人： Tadahiro Ishizaka ,  Tsukasa Matsuda ,  Masamichi Hara ,  Jacques Faguet ,  Yasushi Mizusawa

IPC分类号： C23C16/00 ,  H05H1/00

CPC分类号： C23C16/45542 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  C23C16/509 ,  C23C16/56

摘要： A method for forming a modified TaC or TaCN film that may be utilized as a barrier film for Cu metallization. The method includes disposing a substrate in a process chamber of a plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) system configured to perform a PEALD process, depositing a TaC or TaCN film on the substrate using the PEALD process, and modifying the deposited TaC or TaCN film by exposing the deposited TaC or TaCN film to plasma excited hydrogen or atomic hydrogen or a combination thereof in order to remove carbon from at least the plasma exposed portion of the deposited TaCN film. The method further includes forming a metal film on the modified TaCN film, where the modified TaCN film provides stronger adhesion to the metal film than the deposited TaCN film. According to one embodiment, a TaCN film is deposited from alternating exposures of TAIMATA and plasma excited hydrogen.

摘要翻译： 用于形成可用作Cu金属化阻挡膜的改性TaC或TaCN膜的方法。 该方法包括将基板设置在等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统的处理室中，其被配置为执行PEALD工艺，使用PEALD工艺在基板上沉积TaC或TaCN膜，以及修改沉积的TaC或TaCN膜 通过将沉积的TaC或TaCN膜暴露于等离子体激发的氢或原子氢或其组合，以便从至少沉积的TaCN膜的等离子体暴露部分除去碳。 该方法还包括在改性的TaCN膜上形成金属膜，其中改性的TaCN膜比沉积的TaCN膜提供比金属膜更强的附着力。 根据一个实施方案，通过TAIMATA和等离子体激发氢的交替曝光沉积TaCN膜。

公开(公告)号：US20100248473A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12414917

申请日：2009-03-31

申请人： Tadahiro Ishizaka ,  Shigeru Mizuno ,  Satohiko Hoshino ,  Hiroyuki Nagai ,  Yuki Chiba ,  Frank M. Cerio, JR.

发明人： Tadahiro Ishizaka ,  Shigeru Mizuno ,  Satohiko Hoshino ,  Hiroyuki Nagai ,  Yuki Chiba ,  Frank M. Cerio, JR.

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76859 ,  H01L21/76883

摘要： A method for integrating metal-containing cap layers into copper (Cu) metallization of semiconductor devices. In one embodiment, the method includes providing a patterned substrate containing metal surfaces and dielectric layer surfaces, and modifying the dielectric layer surfaces by exposure to a reactant gas containing a hydrophobic functional group, where the modifying substitutes a hydrophilic functional group in the dielectric layer surfaces with a hydrophobic functional group. The method further includes depositing metal-containing cap layers selectively on the metal surfaces by exposing the modified dielectric layer surfaces and the metal surfaces to a deposition gas containing metal-containing precursor vapor.

摘要翻译： 一种用于将含金属盖层整合到半导体器件的铜（Cu）金属化中的方法。 在一个实施例中，该方法包括提供含有金属表面和电介质层表面的图案化衬底，以及通过暴露于含有疏水官能团的反应气体来修饰电介质层表面，其中修饰取代介电层表面中的亲水性官能团 具有疏水官能团。 该方法还包括通过将改性的介电层表面和金属表面暴露于含有金属的前体蒸气的沉积气体中，将金属含有的盖层选择性地沉积在金属表面上。

公开(公告)号：US07772111B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US11673628

申请日：2007-02-12

申请人： Taro Ikeda ,  Tadahiro Ishizaka ,  Masamichi Hara

发明人： Taro Ikeda ,  Tadahiro Ishizaka ,  Masamichi Hara

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814

摘要： A method of fabricating a semiconductor device includes the steps of forming a via-hole in an interlayer insulation film such that a metal interconnection pattern formed underneath the interlayer insulation film is exposed at a bottom of the via-hole, forming a conductive barrier film on the interlayer insulation film so as to cover a sidewall surface of the via-hole and the exposed metal interconnection pattern in conformity with a shape of the via-hole and forming a metal film on the conductive barrier film, wherein there is provided a preprocessing step, after the step of forming the via-hole but before the step of forming the conductive barrier film, of processing the interlayer insulation film including the sidewall surface of the via-hole and a bottom surface of the via-hole, with plasma containing hydrogen having energy not causing sputtering of the metal interconnection pattern.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：在层间绝缘膜中形成通孔，使得形成在层间绝缘膜下方的金属互连图案在通孔的底部露出，形成导电阻挡膜 层间绝缘膜，以覆盖通孔的侧壁表面和暴露的金属互连图案，与通孔的形状一致并在导电阻挡膜上形成金属膜，其中提供了预处理步骤 在形成导电阻挡膜的步骤之后，在形成导电阻挡膜的步骤之后，对包括通孔的侧壁表面和通孔的底面的层间绝缘膜进行处理，其中包含氢的等离子体 具有不会引起金属互连图案的溅射的能量。

公开(公告)号：US20100197135A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12363868

申请日：2009-02-02

申请人： Tadahiro Ishizaka

发明人： Tadahiro Ishizaka

IPC分类号： H01L21/441

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76856 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for integrating metal-containing cap layers into copper (Cu) metallization of semiconductor devices. In one embodiment, the method includes providing a patterned substrate containing Cu metal surfaces and dielectric layer surfaces, forming a patterned mask layer on the patterned substrate, where the patterned mask layer contains openings that expose the Cu metal surfaces. The method further includes depositing a metal-containing layer on the Cu metal surfaces, depositing an additional metal-containing layer on the patterned mask layer, and removing the patterned mask layer and the additional metal-containing layer from the patterned substrate to selectively form metal-containing cap layers on the Cu metal surfaces.

摘要翻译： 一种用于将含金属盖层整合到半导体器件的铜（Cu）金属化中的方法。 在一个实施例中，该方法包括提供包含Cu金属表面和电介质层表面的图案化衬底，在图案化衬底上形成图案化掩模层，其中图案化掩模层包含露出Cu金属表面的开口。 该方法还包括在Cu金属表面上沉积含金属层，在图案化掩模层上沉积额外的含金属层，以及从图案化衬底去除图案化的掩模层和附加的含金属层以选择性地形成金属 在Cu金属表面上的覆盖层。

公开(公告)号：US07708835B2

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：US11351546

申请日：2006-02-10

申请人： Kenji Suzuki ,  Emmanuel P. Guidotti ,  Gerrit J. Leusink ,  Masamichi Hara ,  Daisuke Kuroiwa ,  Tadahiro Ishizaka

发明人： Kenji Suzuki ,  Emmanuel P. Guidotti ,  Gerrit J. Leusink ,  Masamichi Hara ,  Daisuke Kuroiwa ,  Tadahiro Ishizaka

IPC分类号： C23C16/00 ,  B01D7/00

CPC分类号： C23C16/4481

摘要： A high conductance, multi-tray film precursor evaporation system coupled with a high conductance vapor delivery system is described for increasing the deposition rate by increasing exposed surface area of film precursor. The multi-tray film precursor evaporation system includes one or more trays. Each tray is configured to support and retain film precursor in, for example, solid powder form or solid tablet form. Additionally, each tray is configured to provide for a high conductance flow of carrier gas over the film precursor while the film precursor is heated. For example, the carrier gas flows inward over the film precursor, and vertically upward through a flow channel within the stackable trays and through an outlet in the solid precursor evaporation system.

摘要翻译： 描述了与高电导蒸气传输系统耦合的高电导多托盘膜前体蒸发系统，以通过增加膜前体的暴露表面积来增加沉积速率。 多托盘膜前体蒸发系统包括一个或多个托盘。 每个托盘被构造成支撑和保持例如固体粉末形式或固体片剂形式的膜前体。 此外，每个托盘构造成在膜前体被加热的同时提供载气在膜前体上的高电导流。 例如，载体气体向内流过膜前体，并且垂直向上流过可堆放托盘内的流动通道并通过固体前驱物蒸发系统中的出口。