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Invention Application
US20100081285A1 Apparatus and Method for Improving Photoresist Properties 审中-公开
改善光刻胶性能的装置和方法

Apparatus and Method for Improving Photoresist Properties
Abstract:
The invention can provide apparatus and methods of processing a substrate in real-time using subsystems and processing sequences created to improve the etch resistance of photoresist materials. In addition, the improved photoresist layer can be used to more accurately control gate and/or spacer critical dimensions (CDs), to control gate and/or spacer CD uniformity, and to eliminate line edge roughness (LER) and line width roughness (LWR).
Abstract(Chinese):

本发明可以提供使用子系统和制造的处理序列来实时处理衬底的装置和方法，以提高光致抗蚀剂材料的耐蚀刻性。 此外，改进的光致抗蚀剂层可用于更精确地控制栅极和/或间隔物临界尺寸（CD），以控制栅极和/或间隔区CD均匀性，并且消除线边缘粗糙度（LER）和线宽粗糙度（LWR ）。

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Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065 .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀
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