发明申请
- 专利标题： SOI SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND IMAGE PICKUP APPARATUS
- 专利标题（中）： SOI基板及其制造方法，固态图像拾取装置及其制造方法以及图像拾取装置
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申请号： US12574016申请日： 2009-10-06
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公开(公告)号： US20100090303A1公开(公告)日： 2010-04-15
- 发明人: Ritsuo Takizawa
- 申请人： Ritsuo Takizawa
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： SONY CORPORATION
- 当前专利权人： SONY CORPORATION
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2008-263559 20081010; JP2009-062397 20090316
- 主分类号： H01L31/0232
- IPC分类号： H01L31/0232 ; H01L29/30 ; H01L21/322 ; H01L21/762 ; H01L31/18
摘要：
A SOI substrate includes a silicon substrate, a silicon oxide layer arranged on the silicon substrate, a silicon layer arranged on the silicon oxide layer, a gettering layer arranged in the silicon substrate, and a damaged layer formed of an impurity-doped region arranged in the silicon oxide layer.
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