INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD

发明申请

US20100099223A1 INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD 有权

标题翻译：集成电路设备和方法

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专利标题： INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD
专利标题（中）： 集成电路设备和方法
申请号： US12581573

申请日： 2009-10-19
公开(公告)号： US20100099223A1

公开(公告)日： 2010-04-22
发明人: Joachim Mahler , Thomas Behrens , Ivan Galesic
申请人： Joachim Mahler , Thomas Behrens , Ivan Galesic
申请人地址： DE Neubiberg
专利权人： Infineon Technologies AG
当前专利权人： Infineon Technologies AG
当前专利权人地址： DE Neubiberg
主分类号： H01L21/56
IPC分类号： H01L21/56

摘要：

An integrated circuit device includes a semiconductor chip with a metallization layer on the chip. A gas-phase deposited insulation layer is disposed on the metallization layer.

摘要（中）：

集成电路器件包括在芯片上具有金属化层的半导体芯片。气相沉积绝缘层设置在金属化层上。

公开/授权文献

US08187964B2 Integrated circuit device and method 公开/授权日：2012-05-29

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50	...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56	....封装，例如密封层、涂层