发明申请
- 专利标题： METHOD FOR SEPARATING SUBSTRATE FROM SEMICONDUCTOR LAYER
- 专利标题（中）： 从半导体层分离衬底的方法
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申请号： US12756191申请日： 2010-04-08
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公开(公告)号： US20100261300A1公开(公告)日： 2010-10-14
- 发明人: PO MIN TU , SHIH CHENG HUANG , YING CHAO YEH , WEN YU LIN , PENG YI WU , CHIH PANG MA , TZU CHIEN HONG , CHIA HUI SHEN
- 申请人： PO MIN TU , SHIH CHENG HUANG , YING CHAO YEH , WEN YU LIN , PENG YI WU , CHIH PANG MA , TZU CHIEN HONG , CHIA HUI SHEN
- 申请人地址： TW HSINCHU COUNTY
- 专利权人： ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY INC.
- 当前专利权人： ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY INC.
- 当前专利权人地址： TW HSINCHU COUNTY
- 优先权： TW098111612 20090408
- 主分类号： H01L21/306
- IPC分类号： H01L21/306 ; H01L21/20 ; H01L21/28
摘要：
A method for separating an epitaxial substrate from a semiconductor layer initially forms a patterned silicon dioxide layer between a substrate and a semiconductor layer, and then separates the substrate from the patterned silicon dioxide layer using two wet etching processes.
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