SEMICONDUCTOR COMPONENT STRUCTURE WITH VERTICAL DIELECTRIC LAYERS

发明申请

US20110101451A1 SEMICONDUCTOR COMPONENT STRUCTURE WITH VERTICAL DIELECTRIC LAYERS 有权

标题翻译：半导体元件结构与垂直电介质层

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专利标题： SEMICONDUCTOR COMPONENT STRUCTURE WITH VERTICAL DIELECTRIC LAYERS
专利标题（中）： 半导体元件结构与垂直电介质层
申请号： US12984934

申请日： 2011-01-05
公开(公告)号： US20110101451A1

公开(公告)日： 2011-05-05
发明人: Anton Mauder , Stefan Sedlmaier , Ralf Erichsen , Hans Weber , Oliver Haeberlen , Franz Hirler
申请人： Anton Mauder , Stefan Sedlmaier , Ralf Erichsen , Hans Weber , Oliver Haeberlen , Franz Hirler
申请人地址： AT Villach
专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
当前专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
当前专利权人地址： AT Villach
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78

SEMICONDUCTOR COMPONENT STRUCTURE WITH VERTICAL DIELECTRIC LAYERS

摘要：

A semiconductor component having a semiconductor body having a first and a second side, an edge and an edge region adjacent to the edge in a lateral direction is described.

摘要（中）：

描述了具有半导体本体的半导体部件，该半导体本体具有第一和第二侧面，边缘和与横向方向上的边缘相邻的边缘区域。

公开/授权文献

US08319261B2 Semiconductor component structure with vertical dielectric layers 公开/授权日：2012-11-27

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的