METHOD OF IMPROVING OXIDE GROWTH RATE OF SELECTIVE OXIDATION PROCESSES

发明申请

US20110230060A1 METHOD OF IMPROVING OXIDE GROWTH RATE OF SELECTIVE OXIDATION PROCESSES 有权

标题翻译：改善选择性氧化过程氧化生长速率的方法

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专利标题： METHOD OF IMPROVING OXIDE GROWTH RATE OF SELECTIVE OXIDATION PROCESSES
专利标题（中）： 改善选择性氧化过程氧化生长速率的方法
申请号： US13117931

申请日： 2011-05-27
公开(公告)号： US20110230060A1

公开(公告)日： 2011-09-22
发明人: Yoshitaka Yokota , Norman Tam , Balasubramanian Ramachandran , Martin John Ripley
申请人： Yoshitaka Yokota , Norman Tam , Balasubramanian Ramachandran , Martin John Ripley
主分类号： H01L21/316
IPC分类号： H01L21/316

METHOD OF IMPROVING OXIDE GROWTH RATE OF SELECTIVE OXIDATION PROCESSES

摘要：

A method for selective oxidation of silicon containing materials in a semiconductor device is disclosed and claimed. In one aspect, a rapid thermal processing apparatus is used to selectively oxidize a substrate by in-situ steam generation at high pressure in a hydrogen rich atmosphere. Other materials, such as metals and barrier layers, in the substrate are not oxidized.

摘要（中）：

公开并要求保护半导体器件中含硅材料的选择性氧化的方法。一方面，快速热处理装置用于通过在富氢气氛中高压下原位蒸汽产生来选择性氧化基板。衬底中的其它材料，例如金属和阻挡层，不被氧化。

公开/授权文献

US08546271B2 Method of improving oxide growth rate of selective oxidation processes 公开/授权日：2013-10-01

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314	......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/316	.......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层