发明申请
US20110235425A1 METHOD OF DIRECTLY READING OUTPUT VOLTAGE TO DETERMINE DATA STORED IN A NON-VOLATILE MEMORY CELL
有权
直接读取输出电压以确定存储在非易失性存储器单元中的数据的方法
- 专利标题： METHOD OF DIRECTLY READING OUTPUT VOLTAGE TO DETERMINE DATA STORED IN A NON-VOLATILE MEMORY CELL
- 专利标题（中）： 直接读取输出电压以确定存储在非易失性存储器单元中的数据的方法
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申请号： US12731589申请日： 2010-03-25
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公开(公告)号： US20110235425A1公开(公告)日： 2011-09-29
- 发明人: Pavel Poplevine , Ernes Ho , Umer Khan , Andrew J. Franklin
- 申请人： Pavel Poplevine , Ernes Ho , Umer Khan , Andrew J. Franklin
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04
摘要：
An NVM cell design enables direct reading of cell output voltage to determine data stored in the cell, while providing low current consumption and a simple program sequence that utilizes reverse Fowler-Nordheim tunneling.
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