Method of Forming Metal Silicide Regions

发明申请

US20120115326A1 Method of Forming Metal Silicide Regions 审中-公开

标题翻译：形成金属硅化物区域的方法

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专利标题： Method of Forming Metal Silicide Regions
专利标题（中）： 形成金属硅化物区域的方法
申请号： US12942116

申请日： 2010-11-09
公开(公告)号： US20120115326A1

公开(公告)日： 2012-05-10
发明人: Kai Frohberg , Jens Heinrich , Katrin Reiche
申请人： Kai Frohberg , Jens Heinrich , Katrin Reiche
申请人地址： KY Grand Cayman
专利权人： GLOBALFOUNDRIES INC.
当前专利权人： GLOBALFOUNDRIES INC.
当前专利权人地址： KY Grand Cayman
主分类号： H01L21/321
IPC分类号： H01L21/321

Method of Forming Metal Silicide Regions

摘要：

The method described herein involves the formation of metal silicide regions. The method may involve forming a layer of refractory metal on a structure comprising silicon, forming a layer of silicon on the layer of refractory metal and, after forming the layer of silicon, performing at least one heat treatment process to form a metal silicide region in the structure.

摘要（中）：

本文描述的方法涉及形成金属硅化物区域。该方法可以包括在包含硅的结构上形成难熔金属层，在难熔金属层上形成硅层，在形成硅层之后，进行至少一个热处理工艺以形成金属硅化物区域结构。

公开/授权文献

US1461645A Automatic telegraph system 公开/授权日：1923-07-10

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
H01L21/321	.......后处理