利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明申请
US20120118505A1 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND COOLING DEVICE FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS 审中-公开
用于等离子体处理装置的等离子体处理装置和冷却装置

  • 专利标题： PLASMA PROCESSING APPARATUS AND COOLING DEVICE FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS
  • 专利标题（中）： 用于等离子体处理装置的等离子体处理装置和冷却装置
  • 申请号： US13379219
    申请日： 2010-05-20
  • 公开(公告)号： US20120118505A1
    公开(公告)日： 2012-05-17
  • 发明人: Kiyotaka Ishibashi
  • 申请人： Kiyotaka Ishibashi
  • 申请人地址： JP Tokyo
  • 专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
  • 当前专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
  • 当前专利权人地址： JP Tokyo
  • 优先权： JP2009-146838 20090619
  • 国际申请： PCT/JP2010/058499 WO 20100520
  • 主分类号： H01L21/3065
  • IPC分类号： H01L21/3065 ;  C23C16/511
PLASMA PROCESSING APPARATUS AND COOLING DEVICE FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS
摘要：
A coolant flow path for cooling a dielectric window of a side wall of a processing container of the plasma processing apparatus is provided. A coolant flows in a liquid or gaseous state in the coolant flow path without phase transition. At least a portion of the coolant flow path extending in a circumferential direction of the side wall has a cross-sectional area decreased toward downstream from upstream.
摘要（中）：

提供了用于冷却等离子体处理装置的处理容器的侧壁的电介质窗口的冷却剂流路。 冷却剂在冷却剂流动路径中以液态或气态流动而没有相变。 沿侧壁的圆周方向延伸的冷却剂流路的至少一部分具有朝向上游的下游减小的横截面面积。

信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065 .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀
0/0