CADMIUM STANNATE SPUTTER

发明申请

US20120132261A1 CADMIUM STANNATE SPUTTER 审中-公开

请登陆查看更多内容

专利标题： CADMIUM STANNATE SPUTTER
申请号： US13171987

申请日： 2011-06-29
公开(公告)号： US20120132261A1

公开(公告)日： 2012-05-31
发明人: Benyamin Buller , Douglas Dauson , Scott Mills , Dale Roberts , Yu Yang , Zhibo Zhao , Keith Burrows , Klaus Hartig , Annette Krisko
申请人： Benyamin Buller , Douglas Dauson , Scott Mills , Dale Roberts , Yu Yang , Zhibo Zhao , Keith Burrows , Klaus Hartig , Annette Krisko
主分类号： H01L31/048
IPC分类号： H01L31/048 ; H01L31/0224

摘要：

A structure includes a barrier layer which can include a silicon aluminum oxide, and a transparent conductive oxide layer which can include a layer of cadmium and tin.

摘要（中）：

结构包括可以包括硅氧化铝的阻挡层和可以包括镉和锡层的透明导电氧化物层。

信息查询

Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00	对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/04	.用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）
H01L31/042	..单个光伏电池的光伏模块或者阵列（用于光伏模块的支撑结构入H02S20/00）
H01L31/048	...模块的封装