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发明申请
US20120196441A1 SOLUTION AND METHOD FOR ACTIVATING THE OXIDIZED SURFACE OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 有权
用于激活半导体基板的氧化表面的方法和方法

  • 专利标题： SOLUTION AND METHOD FOR ACTIVATING THE OXIDIZED SURFACE OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
  • 专利标题（中）： 用于激活半导体基板的氧化表面的方法和方法
  • 申请号： US13393917
    申请日： 2010-09-30
  • 公开(公告)号： US20120196441A1
    公开(公告)日： 2012-08-02
  • 发明人: Vincent Mevellec , Dominique Suhr
  • 申请人： Vincent Mevellec , Dominique Suhr
  • 申请人地址： FR Massy
  • 专利权人： ALCHIMER
  • 当前专利权人： ALCHIMER
  • 当前专利权人地址： FR Massy
  • 优先权： FR0956800 20090930; FR0959677 20091230
  • 国际申请： PCT/EP10/64565 WO 20100930
  • 主分类号： H01L21/3205
  • IPC分类号： H01L21/3205 ;  H01L21/316 ;  C09D5/00
SOLUTION AND METHOD FOR ACTIVATING THE OXIDIZED SURFACE OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要：
The present invention relates to a solution and a method for activating the oxidized surface of a substrate, in particular of a semiconducting substrate, for its subsequent coating by a metal layer deposited by the electroless method.According to the invention, this composition contains: A) an activator consisting of one or more palladium complexes; B) a bifunctional organic binder consisting one or more organosilane complexes; C) a solvent system consisting one or more solvents for solubilizing the said activator and the said binder.
摘要（中）：

本发明涉及一种用于激活衬底的氧化表面，特别是半导体衬底的氧化表面的方法和方法，用于随后通过由无电镀方法沉积的金属层进行涂覆。 根据本发明，该组合物包含：A）由一种或多种钯络合物组成的活化剂; B）由一种或多种有机硅烷配合物组成的双官能有机粘合剂; C）包含一种或多种用于增溶所述活化剂和所述粘合剂的溶剂的溶剂体系。

公开/授权文献
信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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