发明申请
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
- 专利标题（中）： 半导体器件及其制造方法
-
申请号： US13364994申请日： 2012-02-02
-
公开(公告)号： US20120199928A1公开(公告)日： 2012-08-09
- 发明人: Yoshiharu Sawada , Sho Suzuki , Takehito Okabe , Masatsugu Itahashi , Takashi Usui , Junji Iwata
- 申请人： Yoshiharu Sawada , Sho Suzuki , Takehito Okabe , Masatsugu Itahashi , Takashi Usui , Junji Iwata
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： CANON KABUSHIKI KAISHA
- 当前专利权人： CANON KABUSHIKI KAISHA
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2011-026354 20110209; JP2011-223299 20111007
- 主分类号： H01L31/0232
- IPC分类号： H01L31/0232 ; H01L21/31 ; H01L21/768
摘要：
There are provided a first waveguide member in an imaging region and a peripheral region of a semiconductor substrate and a via plug penetrating the first waveguide member.
公开/授权文献
- US09136295B2 Semiconductor device and method for manufacturing the same 公开/授权日：2015-09-15
信息查询
IPC分类:
